型号：CY7C187A-25DMB
　　类型：异步SRAM
　　容量：64K x 16位
　　组织结构：65,536字 x 16位
　　访问时间：25ns
　　工作电压：5V ± 10%
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　封装形式：DIP-40
　　引脚数：40
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　最大存取时间：25ns
　　最大循环时间：25ns
　　功耗：典型值为500mW（工作模式），待机模式下低于100mW
　　三态输出：支持
　　控制信号：CE（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）
　　数据保持电压：最小2V
　　数据保持电流：典型值为100μA

CY7C187A-25DMB具备出色的电气特性和物理可靠性，适用于对性能和稳定性要求较高的应用场景。其25ns的访问时间确保了在高频操作下的快速响应能力，能够满足大多数实时系统的数据存取需求。该芯片采用CMOS工艺制造，不仅保证了高速性能，同时也实现了相对较低的动态和静态功耗。在待机或非活动状态下，通过控制片选信号可进入低功耗模式，显著减少系统整体能耗，这对于长时间运行的设备尤为重要。
　　该器件的I/O接口与TTL电平完全兼容，可以直接连接到常见的微处理器、微控制器或逻辑电路而无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。所有输入端均具备滞后作用的施密特触发器设计，增强了抗噪声能力，提高了信号完整性，尤其在电磁干扰较强的工业环境中表现出良好的鲁棒性。此外，CY7C187A-25DMB具有高驱动能力的输出缓冲器，支持多负载连接，适合用于总线架构中的共享内存配置。
　　在可靠性方面，该芯片经过严格的质量控制和老化测试，具备优异的耐久性和数据保持能力。即使在电源波动或瞬时断电情况下，只要维持最低数据保持电压（约2V），即可确保存储内容不丢失。其DIP-40封装形式不仅便于手工焊接和维修，也支持自动化贴装工艺，适应不同规模的生产需求。同时，该封装提供了良好的散热性能，有助于在高负载运行时维持芯片温度在安全范围内。综合来看，CY7C187A-25DMB是一款成熟可靠的高速SRAM器件，尽管近年来已被更先进的低电压、小封装SRAM所替代，但在现有系统维护和升级中仍然具有重要价值。

CY7C187A-25DMB广泛应用于各类需要高速、稳定存储支持的电子系统中。在通信领域，常用于网络交换机、路由器和基站设备中作为数据缓冲区，临时存储转发的数据包以提高处理效率。在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和人机界面设备中，作为程序运行时的临时数据存储空间，支持快速变量读写和状态记录。
　　在测试与测量仪器中，例如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪等设备，CY7C187A-25DMB可用于高速采样数据的暂存，确保采集过程中的数据不丢失，并支持后续的分析处理。此外，在嵌入式系统和早期的计算机外围设备中，该SRAM也常被用作协处理器或专用ASIC芯片的配套存储器，提供低延迟的本地内存支持。
　　由于其DIP封装易于更换和调试，该芯片也被广泛应用于教学实验平台、原型开发板和科研项目中，作为学习和验证存储器接口时序的理想选择。尽管现代设计趋向于使用更小封装、更低电压的SRAM，但在系统维护、备件替换和老旧设备延寿工程中，CY7C187A-25DMB仍然是不可或缺的关键元器件之一。其长期供货历史和稳定供货渠道也使其成为工业客户信赖的选择。

CY7C187A-25JC
　　CY7C187A-25DMB
　　IDT71V416SA25PGI
　　IS61LV25616AL-25T