IRF7241TR 是一款由 Vishay 公司生产的双 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TO-263-8 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高频和功率转换应用。IRF7241TR 内部集成两个独立的 MOSFET(Q1 和 Q2),可以分别控制以满足不同电路需求。
这种器件常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换以及通信电源等场景。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:19A (单个MOSFET)
导通电阻:18mΩ (典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:49nC (典型值)
开关时间:ton=15ns,toff=29ns (典型值)
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-263-8
IRF7241TR 的主要特性包括:
1. 双 N 沟道设计,允许在单一封装内实现更紧凑的电路布局。
2. 极低的导通电阻 Rds(on),可显著降低传导损耗并提高效率。
3. 高速开关性能,适合高频应用。
4. 内置反向二极管,简化了同步整流电路的设计。
5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
6. 优秀的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
7. 提供过流保护功能,增强了系统安全性。
IRF7241TR 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
5. 电信和网络设备的高效电源解决方案。
6. 各类工业自动化和消费电子产品中的功率管理模块。
其高性能和可靠性使其成为许多功率转换应用的理想选择。
IRF7241GPBF, IRF7242TR