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IRF7241TR 发布时间 时间:2025/6/20 23:26:11 查看 阅读:3

IRF7241TR 是一款由 Vishay 公司生产的双 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TO-263-8 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高频和功率转换应用。IRF7241TR 内部集成两个独立的 MOSFET(Q1 和 Q2),可以分别控制以满足不同电路需求。
  这种器件常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换以及通信电源等场景。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:19A (单个MOSFET)
  导通电阻:18mΩ (典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:49nC (典型值)
  开关时间:ton=15ns,toff=29ns (典型值)
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-263-8

特性

IRF7241TR 的主要特性包括:
  1. 双 N 沟道设计,允许在单一封装内实现更紧凑的电路布局。
  2. 极低的导通电阻 Rds(on),可显著降低传导损耗并提高效率。
  3. 高速开关性能,适合高频应用。
  4. 内置反向二极管,简化了同步整流电路的设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 优秀的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  7. 提供过流保护功能,增强了系统安全性。

应用

IRF7241TR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
  5. 电信和网络设备的高效电源解决方案。
  6. 各类工业自动化和消费电子产品中的功率管理模块。
  其高性能和可靠性使其成为许多功率转换应用的理想选择。

替代型号

IRF7241GPBF, IRF7242TR

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IRF7241TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C41 毫欧 @ 6.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3220pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)