时间：2025/5/21 11:16:02
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IRF7233TR是英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用Trench工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
该芯片封装为TO-252（DPAK），具有良好的散热性能和紧凑的尺寸设计，能够满足各种高效能需求的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻：9.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=15ns，toff=15ns
工作温度范围：-55℃至150℃
IRF7233TR具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境，减少开关损耗。
3. 小型化封装设计，有助于简化PCB布局并节省空间。
4. 内置反向二极管功能，支持续流路径。
5. 良好的热稳定性和可靠性，可适应宽温范围的工作条件。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
由于其出色的电气性能和可靠性，IRF7233TR被广泛应用于需要高效能量转换和快速动态响应的场合。
IRF7233TR适用于多种工业和消费类电子设备中的功率控制场景：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，用于笔记本电脑、平板电脑及通信设备供电。
3. 电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。
4. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
5. LED驱动器，提供精确的电流控制以确保照明效果。
总之，任何需要高性能功率开关的场合都可以考虑使用IRF7233TR。
IRF7233G, IRF7233LPBF, STP16NF06L, FDP17N6S
