P75N02LR 时间：2025/12/28 12:08:20 阅读：8

P75N02LR是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术制造，专为高电流开关应用而设计。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。P75N02LR的额定电压为20V，最大连续漏极电流可达75A，适用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动以及电池供电设备等对空间和能效要求较高的场合。其封装形式为TO-220AB，具备良好的热性能和机械稳定性，适合通孔安装，在工业控制、消费电子和汽车电子中均有广泛应用。该器件在设计上优化了开关速度与导通损耗之间的平衡，能够在高频工作条件下保持高效运行。此外，P75N02LR还具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性，适合用于存在感性负载或电压突变风险的应用环境。器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。

参数

型号：P75N02LR
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：75A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　导通电阻（RDS(on) max）：3.3mΩ @ VGS = 10V, ID = 37.5A
　　导通电阻（RDS(on) max）：4.2mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 37.5A
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：约6000pF @ VDS = 10V
　　输出电容（Coss）：约1800pF @ VDS = 10V
　　反向恢复时间（trr）：约25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

P75N02LR采用了STMicroelectronics成熟的沟槽栅极垂直DMOS工艺，这种结构显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了超低RDS(on)特性，使其在大电流应用中表现出色。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为3.3mΩ，即便在较低驱动电压4.5V下也能保持4.2mΩ的低阻值，这使得它非常适合用于电池供电系统中，能够在有限的驱动能力下仍维持高效率。器件的高电流承载能力（75A连续，300A脉冲）使其可用于高功率密度设计，如大电流电源开关和电机控制模块。
　　该MOSFET具备快速开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电容，能够有效减少开关过程中的能量损耗，提升整体系统效率。这对于高频DC-DC变换器尤为重要，可帮助缩小外围元件尺寸并提高功率密度。同时，P75N02LR内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（约25ns），减少了在同步整流或感性负载切换过程中产生的反向电流尖峰，从而降低电磁干扰（EMI）和开关应力。
　　在可靠性方面，P75N02LR经过优化设计，具备较强的雪崩耐量，能够承受一定程度的电压过冲而不损坏，提高了在恶劣工作环境下的鲁棒性。其高达175°C的最大工作结温允许器件在高温环境下稳定运行，结合TO-220AB封装良好的散热性能，可通过外接散热片进一步提升热管理能力。此外，该器件符合AEC-Q101汽车级认证的部分要求，适用于部分车载电子系统，如车灯控制、风扇驱动等。整体而言，P75N02LR是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于需要高效、紧凑设计的现代电力电子系统。

应用

P75N02LR广泛应用于多种高电流开关场景。常见用途包括直流电动机驱动电路，特别是在电动工具、电动自行车和小型电动车中作为主开关元件；在同步降压型DC-DC转换器中担任下桥臂或上桥臂开关，因其低导通电阻可显著提升转换效率；作为电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，实现对电池组的安全通断控制；在负载开关应用中用于电源路径管理，例如笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中的电源选通与隔离；还可用于逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源等工业和消费类电源系统。此外，由于其具备良好的热稳定性和电流处理能力，也适用于汽车电子中的辅助电源模块和车身控制单元。