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IRF7210TRPBF 发布时间 时间:2025/4/30 18:30:53 查看 阅读:15

IRF7210TRPBF是一款由Infineon(英飞凌)制造的N沟道增强型MOSFET功率晶体管,采用TOLL封装形式。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点,适合用于高效能电源转换和电机驱动等应用。其优化的设计使其能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:480A
  导通电阻:0.5mΩ
  栅极电荷:160nC
  总功耗:390W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRF7210TRPBF具备低导通电阻特性,这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此外,它还拥有快速开关性能,可降低开关损耗,在高频操作中表现出色。该器件采用的TOLL封装提供卓越的散热性能,同时支持简单高效的PCB安装工艺。
  此功率MOSFET在设计时考虑了高可靠性要求,能够在极端条件下稳定运行。其出色的热特性和大电流承载能力使其非常适合于需要高功率密度的应用场景。

应用

IRF7210TRPBF广泛应用于各种工业和消费类电子产品中,包括但不限于以下领域:
  1. 高效DC-DC转换器
  2. 电机驱动与控制
  3. 太阳能逆变器
  4. 电动车辆牵引逆变器
  5. 不间断电源(UPS)
  6. 焊接设备及工业电源
  这些应用都依赖于IRF7210TRPBF提供的强大电流处理能力和高效能量转换特性。

替代型号

IRF7208TRPBF
  IRF7212TRPBF

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IRF7210TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫欧 @ 16A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)600mV @ 500µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs212nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds17179pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7210TRPBF-NDIRF7210TRPBFTR