HY5PS561621AFP-C4 是一款由SK Hynix公司制造的高速动态随机存取存储器(DRAM)芯片,采用16M x 4bit x 4 Bank的组织结构,容量为256MB,工作频率可达166MHz,适用于需要高性能存储的嵌入式系统和网络设备。
芯片类型:DRAM
容量:256MB(16M x 4bit x 4 Bank)
封装类型:TSOP
电压:3.3V
接口类型:并行
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
最大访问时间:5.4ns
最大频率:166MHz
HY5PS561621AFP-C4具备高速访问能力,支持突发模式和页模式访问,提高数据吞吐效率;其低功耗设计适合电池供电设备;TSOP封装提高了可靠性和散热性能;该芯片支持自刷新和待机模式,适用于长时间运行的应用场景;具备良好的抗干扰能力和稳定性,适用于复杂电磁环境。
HY5PS561621AFP-C4广泛应用于网络路由器、工业控制设备、通信模块、嵌入式系统、视频采集与处理设备等领域,适用于需要高速数据缓存和临时存储的场景。
MT58L256A2B4-6A、K4S641632K-UCB0、IS42S16400J-6T、CY7C1380B-SRAM