类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：8.6A
　　脉冲漏极电流（IDM）：34A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = 10V：17mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = 4.5V：22mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：9nC
　　输入电容（Ciss）：590pF
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：17ns
　　反向恢复时间（trr）：17ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DirectFET? 3.3mm x 3.3mm
　　安装类型：表面贴装

IRF7107TRPBF采用了Infineon先进的沟道MOSFET技术，具备极低的导通电阻，这使得在大电流条件下功耗显著降低，从而提高了电源系统的整体效率。其RDS(on)典型值在VGS = 10V时仅为17mΩ，在同类P沟道器件中表现出色，特别适合用于同步整流拓扑中的上管或下管开关。这种低导通电阻特性有效减少了I2R损耗，对于电池供电设备而言意味着更长的续航时间，对于工业电源则意味着更高的能量利用率和更低的散热需求。
　　该器件的栅极电荷（Qg）仅为9nC（@10V），这一低Qg特性大幅降低了驱动电路所需的功率，同时也加快了开关速度，减少了开关过程中的交越损耗。这对于高频开关电源尤为重要，因为在高频下开关损耗会成为总损耗的主要部分。配合较低的输出电容（Coss）和反馈电容（Crss），IRF7107TRPBF能够实现快速且稳定的开关响应，减少电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　DirectFET?封装是该器件的一大亮点，它采用铜夹片连接技术，取代了传统的键合线结构，极大降低了封装本身的寄生电感和电阻。这不仅提升了电流承载能力，还改善了高频下的动态性能。同时，该封装支持PCB双面散热，热量可通过顶部和底部同时传导至散热层，显著增强了热传导效率，使器件在高负载下也能保持较低的工作温度。
　　IRF7107TRPBF具有良好的热稳定性和长期可靠性，经过严格的质量测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和压力测试，确保在恶劣工作环境下的耐用性。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C）使其适用于工业级和汽车级应用场景。此外，内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr = 17ns），可在同步整流过程中减少反向恢复电荷带来的损耗，避免产生过大的电流尖峰，从而保护其他电路元件。

IRF7107TRPBF主要用于高性能直流-直流转换器中，特别是在需要高效同步整流的电源架构中发挥关键作用。典型应用包括服务器主板上的多相位电压调节模块（VRM），其中多个MOSFET并联工作以提供大电流输出，同时要求极低的导通损耗和良好的热管理能力。该器件也常用于通信基础设施设备中的中间母线转换器（IBC）和负载点（POL）稳压器，这些场合通常要求高功率密度和高可靠性。
　　在便携式电子设备如笔记本电脑和平板电脑中，IRF7107TRPBF被用于电池电源管理系统和DC-DC降压电路，利用其小尺寸封装节省宝贵的PCB空间，同时通过低RDS(on)延长电池使用时间。此外，它还可用于电机驱动电路，例如风扇控制、步进电机或小型直流电机的H桥驱动，凭借其快速开关能力和耐受瞬态电流的能力，确保电机平稳启动和运行。
　　在工业自动化领域，该MOSFET可用于PLC（可编程逻辑控制器）的数字输出模块、传感器供电电路以及隔离式电源的次级侧整流。由于其具备较强的抗干扰能力和温度适应性，能够在工厂环境中稳定运行。另外，在电信整流电源、网络交换机和路由器的内部电源单元中，IRF7107TRPBF也被广泛采用，以满足高效、紧凑和长寿命的设计目标。

IRF7107TR