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IRF6645TRPBF 发布时间 时间:2023/3/9 16:47:44 查看 阅读:258

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

  

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 5.7A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):100V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.7A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4.9V @ 50?A

    闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :890pF @ 25V

    功率 - 最大:3W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:DirectFET? 等容 SJ

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:DIRECTFET? SJ

    配用:IRAUDAMP5-ND - BOARD DEMO IRS2092S/IRF6645IRAUDAMP4-ND - KIT 2CH 120W HALF BRDG AUDIO AMP

    其它名称:IRF6645TRPBFTR


资料

厂商
Infineon / IR

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IRF6645TRPBF参数

  • 标准包装4,800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 5.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.9V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds890pF @ 25V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DirectFET? 等容 SJ
  • 供应商设备封装DIRECTFET? SJ
  • 包装带卷 (TR)
  • 配用IRAUDAMP5-ND - BOARD DEMO IRS2092S/IRF6645IRAUDAMP4-ND - KIT 2CH 120W HALF BRDG AUDIO AMP
  • 其它名称IRF6645TRPBFTR