类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:34.5 毫欧 @ 7.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.2A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4.9V @ 150μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:55nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2340pF @ 25V
功率 - 最大:2.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DirectFET? 等容 MZ
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:DIRECTFET? MZ
其它名称:IRF6643TRPBF-NDIRF6643TRPBFTR
厂商 |
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Infineon / IR |