IRF6628 时间：2025/12/26 20:00:36 阅读：13

IRF6628是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能、N沟道、表面贴装功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、电机控制和DC-DC转换等高效率开关场景。该器件采用先进的Trench MOSFET技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低传导损耗并提高系统整体能效。IRF6628特别适用于需要紧凑设计和高电流密度的应用场合，其封装形式为DirectFET，这种独特的封装技术不仅优化了热性能，还显著降低了寄生电感和电阻，从而提升了高频开关性能。此外，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在严苛工作环境下的可靠性。由于其出色的电气特性和热稳定性，IRF6628常被用于服务器电源、笔记本电脑适配器、电信设备以及负载点（POL）转换器中。器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代自动化生产流程。其栅极阈值电压设计合理，兼容常见的驱动电路，便于集成到各种数字或模拟控制系统中。总体而言，IRF6628是一款面向中高端应用领域的高效功率MOSFET解决方案，兼顾性能、可靠性和可制造性。
　　

参数

型号：IRF6628
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：45A
　　导通电阻RDS(on)（典型值）：4.7mΩ @ VGS=10V, ID=22.5A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.9V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1725pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DirectFET (SMD)
　　极性：增强型
　　连续漏极电流（ID）@25°C：45A
　　脉冲漏极电流（IDM）：180A
　　最大栅源电压（VGSM）：±20V
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：30V

特性

IRF6628的核心优势在于其采用的先进Trench沟槽技术，这项技术通过在硅片上构建垂直导电通道，有效增加了单位面积内的载流子流动路径，从而大幅降低了导通电阻RDS(on)。在标准测试条件下（VGS=10V，ID=22.5A），其典型RDS(on)仅为4.7mΩ，这一数值在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，意味着在大电流应用中能够显著减少I2R损耗，提升系统效率。同时，低RDS(on)也有助于减小散热需求，允许使用更小尺寸的散热器甚至实现自然冷却，有利于设备小型化设计。
　　该器件使用的DirectFET封装是其另一大亮点。DirectFET是一种顶部散热的表面贴装封装技术，金属顶盖直接暴露于外部环境，极大改善了从芯片结点到PCB或外壳的热传导路径。相比传统SO-8封装，DirectFET在相同空间内提供了更高的功率处理能力和更好的热阻表现（典型θJA约为1.2°C/W）。此外，封装结构经过优化，内部引线极短，有效减少了寄生电感和电阻，这对高频开关应用至关重要，可降低电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的动态响应和稳定性。
　　IRF6628具备优异的开关特性，输入电容Ciss仅为1725pF（在VDS=15V下测得），使得驱动电路所需提供的电荷量较少，降低了驱动损耗，并允许使用更低功率的栅极驱动器。反向恢复时间trr为28ns，表现出良好的体二极管恢复行为，在同步整流等应用中可减少交叉导通风险。器件还具备较强的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下保持安全运行，提高了系统鲁棒性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于工业级和汽车级应用场景。此外，±20V的最大栅源电压保护能力增强了对意外过压事件的容忍度，避免因栅氧化层击穿导致失效。综合来看，IRF6628凭借其低导通电阻、优良热性能、高速开关能力和高可靠性，成为现代高效电源系统中的理想选择。
　　

应用

IRF6628广泛应用于各类高效率、高密度的电源转换系统中。在服务器和通信电源领域，它常用于多相电压调节模块（VRM）和负载点（Point-of-Load, POL）转换器中，作为同步整流开关或主开关器件，利用其低RDS(on)特性来提升能效并满足严格的能效标准如80 PLUS Titanium。在笔记本电脑和移动设备的AC-DC适配器中，IRF6628可用于有源钳位反激（Active Clamp Flyback）或LLC谐振转换器拓扑，实现高频高效运行，缩小变压器和滤波元件体积。
　　在电机驱动方面，该器件适用于直流无刷电机（BLDC）控制器和H桥驱动电路，尤其是在无人机、电动工具和便携式家电中，其快速开关能力和良好热性能确保了长时间稳定运行。在电池管理系统（BMS）和电动交通工具的辅助电源中，IRF6628也常被用作充放电控制开关，提供低损耗的电流路径。
　　此外，IRF6628还适用于DC-DC降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）转换器，特别是在要求高电流输出的应用中，如FPGA、ASIC和GPU供电系统。其DirectFET封装与PCB布局兼容性强，适合自动化贴片生产，广泛用于工业自动化、电信基础设施、网络交换机和高端消费电子产品中。得益于其高可靠性和宽温工作能力，该器件也可部署于环境条件较为恶劣的工业现场设备中。
　　