IRF620PBF是一款由Vishay公司生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-252表面贴装封装。该器件适用于需要高效率和低功耗的应用场合,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等。其设计优化了导通电阻(Rds(on))和栅极电荷(Qg),以提供更高的性能和更低的功耗。
IRF620PBF支持高达30V的工作电压,并具有较低的导通电阻,能够有效减少传导损耗,同时具备快速开关特性,使其在高频应用中表现出色。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:18A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:4nC
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装类型:TO-252(DPAK)
IRF620PBF具有以下主要特性:
1. 高效的低导通电阻设计,能够显著降低功率损耗。
2. 快速开关能力,适合高频应用。
3. 较高的连续漏极电流额定值,支持大电流负载。
4. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
5. 表面贴装封装形式,便于自动化生产与安装。
6. 具有良好的热稳定性和可靠性,确保长时间运行的稳定性。
IRF620PBF广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 各种DC-DC转换器模块。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理部分。
6. 汽车电子系统中的功率分配和控制。
7. LED驱动器和其他高效功率转换应用。
IRF620GTRPBF, IRF620N