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IRF620PBF 发布时间 时间:2025/7/4 4:16:12 查看 阅读:18

IRF620PBF是一款由Vishay公司生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-252表面贴装封装。该器件适用于需要高效率和低功耗的应用场合,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等。其设计优化了导通电阻(Rds(on))和栅极电荷(Qg),以提供更高的性能和更低的功耗。
  IRF620PBF支持高达30V的工作电压,并具有较低的导通电阻,能够有效减少传导损耗,同时具备快速开关特性,使其在高频应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:4nC
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

IRF620PBF具有以下主要特性:
  1. 高效的低导通电阻设计,能够显著降低功率损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 较高的连续漏极电流额定值,支持大电流负载。
  4. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  5. 表面贴装封装形式,便于自动化生产与安装。
  6. 具有良好的热稳定性和可靠性,确保长时间运行的稳定性。

应用

IRF620PBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 各种DC-DC转换器模块。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理部分。
  6. 汽车电子系统中的功率分配和控制。
  7. LED驱动器和其他高效功率转换应用。

替代型号

IRF620GTRPBF, IRF620N

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IRF620PBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫欧 @ 3.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds260pF @ 25V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF620PBF