IRF650PBF 是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装形式。这款器件广泛应用于需要高效率和低损耗的开关应用中,例如DC-DC转换器、电机驱动以及各种电源管理电路。
该芯片的主要特点是具有较低的导通电阻(Rds(on)),同时具备良好的开关性能和热特性,能够承受较高的电压和电流负载。此外,其封装形式使其易于安装并具备良好的散热性能。
最大漏源电压:500V
最大连续漏极电流:12A
导通电阻:0.3Ω
栅极电荷:65nC
总功耗:195W
工作结温范围:-55℃至+150℃
IRF650PBF是一款高压功率MOSFET,主要特性如下:
1. 高耐压能力:支持高达500V的漏源电压,适用于高电压环境下的开关应用。
2. 较低的导通电阻:在典型条件下,导通电阻为0.3Ω,可显著降低导通损耗。
3. 快速开关能力:具有较小的栅极电荷和较低的开关时间,从而提高系统效率。
4. 热稳定性:采用TO-247封装,具备优秀的散热性能,确保长时间稳定运行。
5. 宽温度范围:能够在-55℃到+150℃的工作结温范围内可靠运行,适合工业及恶劣环境中的应用。
IRF650PBF 常用于以下场景:
1. 开关电源(SMPS):包括离线式AC-DC转换器和DC-DC转换器。
2. 电机驱动:适用于中小型电机的控制与驱动。
3. 工业自动化:用于继电器驱动、电磁阀控制等。
4. 电池管理系统:在充电保护和放电控制中发挥重要作用。
5. 各类功率逆变器:如太阳能逆变器或UPS系统中的功率开关元件。
IRF650G, IRF650N, IRF650BPBF