型号：IRF5Y5305CM
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：n沟道MOSFET
　　封装/外壳：PG-HSOF-8-1（HSOF-8）
　　漏源电压VDS：30 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：5.9 A
　　脉冲漏极电流IDM：23 A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：4.7 mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：6.4 mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=2.5V）：9.5 mΩ
　　阈值电压VGS(th)：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容Ciss：1290 pF
　　输出电容Coss：460 pF
　　反向传输电容Crss：105 pF
　　栅极电荷Qg（typ）：13 nC
　　功耗PD：2.5 W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

IRF5Y5305CM采用英飞凌先进的沟道MOSFET技术，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为4.7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性使其非常适合用于大电流、低电压的DC-DC转换器中，例如服务器主板、笔记本电脑和通信设备中的POL（Point-of-Load）电源模块。更低的RDS(on)意味着更少的I2R损耗，从而减少发热，提升系统可靠性。
　　该器件在低栅极驱动电压下依然表现出色，在VGS=4.5V时RDS(on)仅为6.4mΩ，在VGS=2.5V时仍可达到9.5mΩ，这使得它能够兼容3.3V或更低逻辑电平的控制器，适用于现代低电压数字控制电源系统。这对于采用电池供电或节能设计的便携式设备尤为重要，能够在不牺牲性能的前提下简化驱动电路设计。
　　IRF5Y5305CM具有优异的开关特性，包括较低的输入电容（Ciss=1290pF）和反向传输电容（Crss=105pF），有助于减少开关过程中的能量损耗和串扰，实现更高的开关频率运行。同时，其栅极电荷Qg典型值仅为13nC，进一步降低了驱动损耗，提升了高频应用下的能效表现。
　　该器件采用PG-HSOF-8-1封装，具有优良的热传导性能，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔有效将热量传导至内层或底层，增强散热能力。这种表面贴装封装还支持自动化贴片生产，提高组装效率和一致性。此外，器件内部集成了ESD保护二极管，可承受HBM模型下2kV以上的静电放电冲击，增强了在实际操作和装配过程中的抗干扰能力。
　　IRF5Y5305CM的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定工作，适用于工业自动化、汽车电子外围电路以及户外通信设备等严苛应用场景。其高可靠性和长期稳定性经过严格测试，符合AEC-Q101等车规级可靠性标准，体现了英飞凌在功率半导体领域的技术积累与品质保障。

IRF5Y5305CM广泛应用于需要高效、小型化和高可靠性的电源管理系统中。典型应用包括同步降压变换器（Buck Converter），特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，提供低损耗的开关路径；在DC-DC电源模块中用于实现高效的能量转换，支持高性能CPU、GPU和ASIC的供电需求。
　　此外，该器件适用于负载开关电路，用于控制电源域的开启与关闭，防止浪涌电流，保护后级电路。在电池供电设备如平板电脑、智能手机和便携式医疗仪器中，IRF5Y5305CM可用于电源路径管理，实现电池充放电控制和系统待机模式切换。
　　在电机驱动应用中，该MOSFET可用于小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和精确控制。同时，也可用于热插拔控制器、OR-ing二极管替代、LED驱动电源以及隔离式电源的副边同步整流等场景。
　　由于其出色的热性能和紧凑封装，IRF5Y5305CM特别适合高密度印刷电路板（PCB）设计，广泛用于通信基站电源、工业PLC、网络交换机、路由器和嵌入式计算平台等领域。其低RDS(on)和快速开关能力也有助于满足能源之星（Energy Star）和80 PLUS等能效认证要求，推动绿色电子发展。

BSC059N03LS
　　BSC097N03LS
　　IRLHS3442