时间：2025/4/28 13:12:43
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IRF5852TRPBF是一款由Infineon（英飞凌）制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-263-3封装形式。该器件专为高效率开关应用设计，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于各类工业及消费电子领域的电源管理解决方案。
这款MOSFET在设计上优化了漏源极之间的电压承受能力，并提供了出色的热性能，使其能够胜任多种高压、高频应用场景。
最大漏源极电压：100V
连续漏极电流：47A
导通电阻：2.9mΩ
栅极电荷：37nC
开关速度：快速
封装类型：TO-263-3
IRF5852TRPBF的主要特点是其超低的导通电阻（仅2.9mΩ），这使得它能够在高电流条件下提供高效且稳定的性能表现。此外，该器件还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在极端环境下保持正常运行。
由于采用了先进的制造工艺，IRF5852TRPBF的开关速度非常快，适合用于高频DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要快速切换的应用场景。
此外，该器件还具有较低的栅极电荷和输出电容，进一步提升了其动态性能并降低了开关损耗。
IRF5852TRPBF的封装形式TO-263-3也使其易于安装和散热管理，非常适合紧凑型设计。
IRF5852TRPBF广泛应用于各种需要高性能功率开关的场合，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关应用
该器件凭借其优异的电气特性和可靠性，成为众多工程师在功率管理设计中的首选方案。
IRF540N, IRFZ44N, FDP5802
