类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET?
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:86 毫欧 @ 4A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:11.4nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :594pF @ 15V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:Micro6?(TSOP-6)
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:Micro6?(TSOP-6)
厂商 |
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Infineon / IR |