型号：IRF5523
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.9A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：19.6A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：1.4W
　　导通电阻（RDS(on) max）：23mΩ @ VGS=10V, 4.9A
　　导通电阻（RDS(on) typ）：17mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：8.5nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：420pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PG-TSDSO-8（PowerPAD）
　　导通延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：18ns
　　上升时间（tr）：7ns
　　下降时间（tf）：6ns

IRF5523采用了Infineon先进的TrenchSTOP?沟槽栅技术，这项技术通过在硅片上构建垂直的沟道结构，显著降低了导通电阻（RDS(on)），同时保持了良好的开关速度。这种结构使得单位面积内的电流密度更高，从而在小型封装下实现优异的电流处理能力。器件的典型RDS(on)仅为17mΩ，在VGS=10V条件下可确保极低的导通损耗，特别适合用于电池供电设备中对能效要求严苛的应用场景。由于其低RDS(on)，即使在大电流条件下也能有效减少发热，提高系统的长期可靠性。
　　该MOSFET具备出色的动态性能，其总栅极电荷（Qg）仅为8.5nC，意味着驱动电路所需的能量较少，有利于降低控制器的功耗并提升整体效率。输入电容（Ciss）为420pF，在高频开关应用中表现出良好的响应特性，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源设计。此外，其反向恢复时间（trr）短至25ns，配合体二极管的快速恢复能力，有效减少了交叉导通期间的能量损耗，防止因寄生效应引起的电压尖峰问题。
　　IRF5523的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境温度下依然能够稳定运行。器件经过优化的热阻设计结合PowerPAD封装底部散热焊盘，可将热量高效传导至PCB，进一步增强散热能力。该器件还具备优良的抗雪崩击穿能力，能够在意外过压或感性负载切换时提供额外保护。内置的静电放电（ESD）防护结构提高了生产过程中的耐用性。所有这些特性共同使IRF5523成为高密度、高效率电源系统中的理想选择。

IRF5523广泛应用于多种需要高效功率切换的电子系统中。其主要用途之一是作为同步整流器在降压型（Buck）DC-DC转换器中替代传统肖特基二极管，以大幅降低整流损耗，提升转换效率，尤其是在低输出电压、大电流的电源架构中表现突出。此外，它也常用于负载开关电路中，用于控制电源路径的通断，实现快速开启与关闭，并具备软启动功能以抑制浪涌电流。
　　在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中，IRF5523可用于电池管理系统（BMS）、电源多路复用及电源轨切换等场合，帮助延长电池续航时间。在电机控制领域，该器件适用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供精确的双向转速与方向控制。由于其通过AEC-Q101认证，因此也被广泛应用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统电源、LED照明驱动、车窗升降电机控制等环境条件较为严酷的场景。
　　工业自动化设备中，IRF5523可用于PLC模块中的数字输出通道、传感器供电控制以及隔离式电源接口。通信基础设施设备如路由器、交换机中的板级电源管理单元也常采用此类高性能MOSFET来实现紧凑且高效的电源设计。此外，该器件还可用于USB供电（USB PD）电源路径管理、热插拔控制器以及各种需要低侧开关功能的嵌入式系统中。凭借其高可靠性与优异的热性能，IRF5523在各类对安全性和稳定性要求较高的应用中均展现出卓越的表现。

IPD95R025C6
　　BSC023N03LS
　　INF1T161P03LB1