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IRF540PBF 发布时间 时间:2025/6/20 9:37:46 查看 阅读:3

IRF540PBF 是一种N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子电路中。该器件由国际整流器公司(International Rectifier,现已被英飞凌收购)生产,具有低导通电阻和高开关速度的特点。它通常用于功率转换、电机驱动、电源管理等领域。
  IRF540PBF采用TO-220封装形式,这种封装形式使得其散热性能良好,便于安装在散热片上以提高功率处理能力。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:16A
  脉冲漏极电流:78A
  导通电阻:0.044Ω
  总功耗:200W
  结温范围:-55℃至+175℃
  热阻(结到壳):1°C/W

特性

IRF540PBF具有较低的导通电阻,有助于减少传导损耗,从而提高整体效率。
  该器件还具备较高的开关速度,这使其非常适合高频应用。其栅极电荷相对较小,能够降低驱动损耗。
  此外,IRF540PBF的设计考虑到了耐用性和稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作。
  其封装形式为TO-220,方便进行表面安装或通过螺钉固定到散热片上,以满足不同应用需求。

应用

IRF540PBF适用于多种功率转换和控制场景,包括但不限于直流-直流转换器、开关电源、逆变器、电机控制器等应用。
  在消费类电子产品中,它可以用于计算机电源、家用电器的电源模块等。
  工业领域内,该器件可用于工业自动化设备中的电机驱动和负载控制。
  另外,由于其出色的电气性能,IRF540PBF也常见于音频功率放大器和其他需要高效功率处理的场合。

替代型号

IRF540N, STP17NF50, K1208P3

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IRF540PBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C77 毫欧 @ 17A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF540PBF