时间：2025/5/13 16:28:55
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FQB4P25 是一款 N 沃特 (NXP) 生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TO-263 封装，适用于高电压和高功率应用。其主要特点是具有较低的导通电阻和良好的开关性能，能够满足工业、汽车以及消费电子领域的需求。
FQB4P25 的设计使其在高频开关电路中表现出色，并且具有较高的电流承载能力。由于其耐压能力高达 250V，因此非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动器以及电源管理模块等场景。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：1.8Ω
栅极电荷：20nC
开关时间：典型值 t_on=75ns, t_off=125ns
封装类型：TO-263
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 高击穿电压，适合高电压应用场景。
2. 较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 具有快速开关特性，支持高频操作。
4. 稳定的工作性能，在宽温范围内表现良好。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 内置保护机制，增强了器件的耐用性和可靠性。
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 各种电源管理系统。
5. 工业自动化设备中的功率转换部分。
6. 汽车电子系统中的负载切换功能。
FQPF2714P, FQP17P20, IRF540N
