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IRF530NPBF 发布时间 时间:2025/4/29 18:50:43 查看 阅读:2

IRF530NPBF 是一款由 Vishay 提供的 N 沣道 场效应晶体管(N-Channel MOSFET),采用 TO-220 封装形式。这款器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及音频功率放大器等应用领域。其高效率和低导通电阻使其成为许多电路设计中的理想选择。
  IRF530NPBF 的特点是具有较低的 Rds(on) 和较高的漏极电流承载能力,同时支持较宽的工作电压范围。此外,该器件还具备快速开关速度和低栅极电荷特性,从而能够有效降低开关损耗。

参数

最大漏源电压(Vdss):100V
  最大漏极电流(Id):14A
  导通电阻(Rds(on)):0.16Ω
  栅极电荷(Qg):6.5nC
  连续漏极电流:7.8A
  功耗(PD):109W
  结温范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220

特性

IRF530NPBF 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压可达 100V,适用于多种高压应用场景。
  2. 较低的导通电阻(Rds(on)),仅为 0.16Ω,有助于减少传导损耗。
  3. 快速开关速度,结合低栅极电荷特性,可以有效降低开关损耗。
  4. 良好的热性能,支持高达 150°C 的结温操作,提高了可靠性和耐用性。
  5. TO-220 封装提供出色的散热性能,便于安装在散热片上以进一步提高功率处理能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

IRF530NPBF 常用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的电子开关。
  3. 各类逆变器电路中的关键功率转换元件。
  4. 音频功率放大器中的输出级元件。
  5. 电池保护电路中的负载切换开关。
  6. LED 驱动电路中的电流调节元件。
  由于其高性能和可靠性,IRF530NPBF 成为众多功率电子应用的理想选择。

替代型号

IRF530N, IRF530BPBF

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IRF530NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds920pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF530NPBF