IRF530NPBF 是一款由 Vishay 提供的 N 沣道 场效应晶体管(N-Channel MOSFET),采用 TO-220 封装形式。这款器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及音频功率放大器等应用领域。其高效率和低导通电阻使其成为许多电路设计中的理想选择。
IRF530NPBF 的特点是具有较低的 Rds(on) 和较高的漏极电流承载能力,同时支持较宽的工作电压范围。此外,该器件还具备快速开关速度和低栅极电荷特性,从而能够有效降低开关损耗。
最大漏源电压(Vdss):100V
最大漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):0.16Ω
栅极电荷(Qg):6.5nC
连续漏极电流:7.8A
功耗(PD):109W
结温范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220
IRF530NPBF 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力,最大漏源电压可达 100V,适用于多种高压应用场景。
2. 较低的导通电阻(Rds(on)),仅为 0.16Ω,有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度,结合低栅极电荷特性,可以有效降低开关损耗。
4. 良好的热性能,支持高达 150°C 的结温操作,提高了可靠性和耐用性。
5. TO-220 封装提供出色的散热性能,便于安装在散热片上以进一步提高功率处理能力。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
IRF530NPBF 常用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的电子开关。
3. 各类逆变器电路中的关键功率转换元件。
4. 音频功率放大器中的输出级元件。
5. 电池保护电路中的负载切换开关。
6. LED 驱动电路中的电流调节元件。
由于其高性能和可靠性,IRF530NPBF 成为众多功率电子应用的理想选择。
IRF530N, IRF530BPBF