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IRF530FI 发布时间 时间:2025/7/23 0:02:56 查看 阅读:4

IRF530FI 是由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻、高效率和高可靠性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):17A
  导通电阻(Rds(on)):0.077Ω(最大值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V ~ 4V
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

IRF530FI 的核心特性包括低导通电阻(Rds(on))以减少导通损耗,提高系统效率。该器件的热稳定性优异,能够在高温环境下稳定运行,适合高负载应用。此外,其封装形式(TO-252)提供良好的散热性能,并且适用于表面贴装工艺,便于 PCB 设计和自动化生产。
  IRF530FI 具有较高的雪崩能量承受能力,能够承受瞬时过电压,提高系统的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围宽泛,兼容多种控制电路设计,同时具备快速开关特性,适用于高频开关应用。器件内部还集成保护功能,如过热保护和短路保护,进一步提升系统安全性。

应用

IRF530FI 常用于多种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统(BMS)、逆变器和负载开关电路。其在汽车电子、工业控制、消费类电子产品和绿色能源系统中均有广泛应用。由于其良好的热性能和高电流能力,它也适用于需要高效能和高稳定性的设计场景。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, FDPF5N50, STP16NF06, FQP16N10

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