IRF530FI 时间：2025/7/23 0:02:56 阅读：4

IRF530FI 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高效率和高可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：17A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.077Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

IRF530FI 的核心特性包括低导通电阻（Rds(on)）以减少导通损耗，提高系统效率。该器件的热稳定性优异，能够在高温环境下稳定运行，适合高负载应用。此外，其封装形式（TO-252）提供良好的散热性能，并且适用于表面贴装工艺，便于 PCB 设计和自动化生产。
　　IRF530FI 具有较高的雪崩能量承受能力，能够承受瞬时过电压，提高系统的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围宽泛，兼容多种控制电路设计，同时具备快速开关特性，适用于高频开关应用。器件内部还集成保护功能，如过热保护和短路保护，进一步提升系统安全性。

应用

IRF530FI 常用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、逆变器和负载开关电路。其在汽车电子、工业控制、消费类电子产品和绿色能源系统中均有广泛应用。由于其良好的热性能和高电流能力，它也适用于需要高效能和高稳定性的设计场景。