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IRF520NS 发布时间 时间:2025/7/1 21:14:13 查看 阅读:23

IRF520NS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机控制和音频放大器等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,同时支持快速开关操作。
  IRF520NS 的设计使其在高频应用中表现出色,适用于需要高效能和低功耗的应用环境。其封装形式为 TO-247,能够有效散热并支持大功率操作。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:9.2A
  脉冲漏极电流:33A
  导通电阻:0.45Ω
  总功耗:115W
  结温范围:-65℃ 至 +150℃
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1600pF
  输出电容:1250pF

特性

IRF520NS 是一款性能可靠的 MOSFET,具备以下特点:
  1. 高击穿电压(100V),能够在高压环境下稳定工作。
  2. 较低的导通电阻(0.45Ω),有助于减少传导损耗并提高效率。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 支持高达 9.2A 的连续漏极电流,满足高功率需求。
  5. 具备出色的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
  6. TO-247 封装提供良好的散热性能,适合大功率应用场景。
  这些特性使 IRF520NS 成为许多电子电路设计中的理想选择,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。

应用

IRF520NS 可用于多种应用领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)设计,用作主开关或同步整流器。
  2. 直流电机驱动和控制,用于调节电机速度和方向。
  3. 音频功率放大器,提供高效的信号放大功能。
  4. 脉冲宽度调制(PWM)控制器,用于调节输出电压或电流。
  5. 电池充电器和保护电路,确保电池安全和高效充电。
  6. 逆变器设计,将直流电转换为交流电。
  由于其高耐压和大电流能力,IRF520NS 在工业控制、消费电子以及汽车电子等领域均有广泛应用。

替代型号

IRF540N, IRFZ24N, BUZ11

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IRF520NS参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 5.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds330pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF520NS