IRF520NS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机控制和音频放大器等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,同时支持快速开关操作。
IRF520NS 的设计使其在高频应用中表现出色,适用于需要高效能和低功耗的应用环境。其封装形式为 TO-247,能够有效散热并支持大功率操作。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:9.2A
脉冲漏极电流:33A
导通电阻:0.45Ω
总功耗:115W
结温范围:-65℃ 至 +150℃
栅极电荷:45nC
输入电容:1600pF
输出电容:1250pF
IRF520NS 是一款性能可靠的 MOSFET,具备以下特点:
1. 高击穿电压(100V),能够在高压环境下稳定工作。
2. 较低的导通电阻(0.45Ω),有助于减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度,适合高频应用。
4. 支持高达 9.2A 的连续漏极电流,满足高功率需求。
5. 具备出色的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
6. TO-247 封装提供良好的散热性能,适合大功率应用场景。
这些特性使 IRF520NS 成为许多电子电路设计中的理想选择,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。
IRF520NS 可用于多种应用领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)设计,用作主开关或同步整流器。
2. 直流电机驱动和控制,用于调节电机速度和方向。
3. 音频功率放大器,提供高效的信号放大功能。
4. 脉冲宽度调制(PWM)控制器,用于调节输出电压或电流。
5. 电池充电器和保护电路,确保电池安全和高效充电。
6. 逆变器设计,将直流电转换为交流电。
由于其高耐压和大电流能力,IRF520NS 在工业控制、消费电子以及汽车电子等领域均有广泛应用。
IRF540N, IRFZ24N, BUZ11