类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：55 V
　　连续漏极电流（Id）：7.5 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：30 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.26 Ω @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：500 pF @ Vds = 25 V
　　开启延迟时间（td(on)）：15 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：40 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装/外壳：TO-220AB

IRF513的核心优势之一在于其基于HEXFET工艺的先进结构设计，这一技术显著降低了器件的导通电阻（Rds(on)），从而减少了在导通状态下的功率损耗。对于一个额定为55V耐压的MOSFET而言，0.26Ω的典型Rds(on)值意味着在7.5A满载电流下，其导通压降仅为约2V，相应的功率耗散为1.46W左右，这对于提升系统效率至关重要。此外，较低的Rds(on)还有助于减少发热，延长器件寿命并降低对散热系统的要求。该器件的栅极电荷（Qg）相对适中，配合500pF的输入电容，在高频开关应用中表现出良好的动态响应能力，能够在数十千赫兹至数百千赫兹的频率范围内高效运行。其快速的开启和关断延迟时间（分别为15ns和40ns）进一步增强了其在PWM控制等高速切换场景中的适用性。
　　另一个关键特性是其宽泛的工作温度范围，从-55°C到+175°C，使其能够在极端环境条件下稳定工作，例如高温工业设备或寒冷户外装置中。这种热稳定性得益于其坚固的封装设计和内部材料的选择。同时，±20V的栅源电压额定值提供了足够的安全裕度，防止因瞬态过压导致栅氧化层击穿。IRF513还具备较强的抗雪崩能力，能够在短时过载或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，TO-220AB封装具有良好的机械强度和焊接兼容性，支持通孔安装，适用于自动化生产线和手工装配等多种制造工艺。

IRF513广泛应用于多种中等功率级别的电子控制系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常作为主开关元件用于降压（Buck）、升压（Boost）或反激式（Flyback）拓扑结构中，凭借其低导通损耗和快速开关特性有效提升电源转换效率。在直流电机驱动电路中，该MOSFET可用于H桥或单向驱动配置，控制电机的启停与转速调节，尤其适用于小型机器人、电动工具和家用电器中的电机控制模块。此外，IRF513也常见于LED照明驱动电源中，用于恒流控制或调光功能的实现，确保光源稳定发光的同时降低能耗。在电池管理系统中，它可以作为充放电开关使用，实现对锂电池或其他可充电电池的安全隔离与通断控制。其他应用场景还包括逆变器、UPS不间断电源、汽车电子辅助电源模块以及各类工业自动化设备中的固态继电器替代方案。其高可靠性和成熟的供应链使其成为许多设计师在成本与性能之间寻求平衡时的优选器件。