类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V(BR)DSS）：650 V
　　最大漏极电流（ID）：13 A（@25°C）
　　导通电阻（RDS(on) max）：450 mΩ（@ VGS = 10 V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 4.0 V
　　最大栅源电压（VGS max）：±20 V
　　最大功耗（Ptot）：150 W
　　输入电容（Ciss）：典型值约 1100 pF
　　输出电容（Coss）：典型值约 180 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于 30 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-247

IRF4H450所采用的CoolMOS?超级结技术是其核心优势所在，这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域来打破传统硅基MOSFET的“硅极限”，即在提高击穿电压的同时大幅降低单位面积的导通电阻。相较于传统的平面型或沟槽型MOSFET，超级结结构能够在650V耐压等级下实现接近甚至优于低压器件的导通性能，这对于追求高能效的现代开关电源至关重要。该技术不仅降低了导通损耗，还通过减少总栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss）显著改善了动态开关性能，使得器件可以在数十kHz至数百kHz的高频条件下运行而不至于产生过高的开关损耗。
　　另一个关键特性是其出色的热稳定性和可靠性。IRF4H450在高温环境下仍能保持稳定的电气参数，其最大工作结温可达150°C，并且具有良好的热阻特性，配合合适的散热设计可确保长时间稳定运行。器件内部的雪崩能量额定值较高，表明其在遭遇电压瞬变或感性负载关断时具备一定的自我保护能力，减少了因意外过压导致损坏的风险。此外，该MOSFET的体二极管也经过优化，具备较快的反向恢复速度和较低的反向恢复电荷（Qrr），这在硬开关拓扑如LLC谐振转换器或有源钳位反激中尤为重要，有助于减少交叉导通风险和EMI噪声。
　　从制造工艺来看，英飞凌在CoolMOS?产品线上积累了丰富的经验，确保了IRF4H450的一致性和良率。器件符合RoHS标准，并通过AEC-Q101等可靠性认证（视具体版本而定），适用于严苛的工作环境。其TO-247封装提供了低热阻路径和较高的机械强度，便于安装在散热器上，适用于大功率应用场景。综合来看，IRF4H450凭借其先进的技术、优异的电气性能和可靠的封装设计，在高端电源系统中表现出色，是替代传统高压MOSFET的理想选择。

IRF4H450广泛应用于各类需要高效、高电压开关能力的电力电子系统中。典型应用包括通信电源、服务器和数据中心的AC-DC电源模块，这些场合对能效和功率密度要求极高，而IRF4H450的低导通电阻和快速开关特性正好满足此类需求。在光伏（PV）逆变器中，该器件可用于DC-DC升压级或DC-AC逆变级，其高耐压能力和良好的动态性能有助于提升系统整体转换效率并降低热管理难度。
　　此外，该MOSFET也适用于工业电源设备，如焊接机、激光电源和不间断电源（UPS），在这些应用中，系统往往面临复杂的负载变化和恶劣的电网条件，因此对器件的可靠性和鲁棒性要求较高。IRF4H450的高雪崩耐量和宽工作温度范围使其能够在这些严苛环境中稳定运行。在消费类高端电源中，如大功率适配器和充电站，该器件同样可以发挥其高性能优势，支持更高频率的设计，从而缩小变压器和滤波元件的尺寸。
　　其他潜在应用还包括电动汽车车载充电机（OBC）、电动工具电源模块以及感应加热设备。在这些系统中，MOSFET通常工作在硬开关或准谐振模式下，要求器件具备快速开关能力和低寄生参数。IRF4H450的低栅极电荷和输出电容特性使其非常适合用于这些拓扑结构，例如反激式、正激式、半桥或全桥变换器。同时，其良好的热性能也便于进行紧凑型布局设计，进一步提升系统的集成度和可靠性。

IPP65R450CFDA
　　STW65N65M5
　　FCH65N60S3