类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：280A
　　脉冲漏极电流（IDM）：1120A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：约0.75mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：约1.1mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：约260nC
　　输入电容（Ciss）：约11600pF
　　开启延迟时间（td(on)）：约25ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约55ns
　　反向恢复时间（trr）：约45ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK

IRF431采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构通过在硅片表面刻蚀出深沟槽并形成栅极，显著增加了单位面积内的沟道宽度，从而大幅降低导通电阻RDS(on)。低RDS(on)意味着在大电流条件下功耗更低，发热更少，有利于提高电源转换效率并减少散热器尺寸。该器件在VGS=10V时典型RDS(on)仅为0.75mΩ，在同类产品中处于领先水平，适合用于大电流应用如电动工具驱动、电池管理系统和服务器电源模块。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。IRF431具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这使得它在高频开关操作中表现出较小的驱动损耗和开关损耗。对于现代高频率工作的电源拓扑如同步整流、多相降压变换器等，这一点至关重要。此外，其快速的开启和关断响应时间确保了精确的开关控制，减少了交叉导通风险，提升了系统稳定性。
　　热稳定性方面，IRF431具备良好的热阻特性，能够有效将内部产生的热量传导至外部散热环境。其最高工作结温可达175°C，支持极端环境下的可靠运行。同时，该器件内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，降低了在感性负载切换过程中可能出现的电压尖峰和电磁干扰问题。
　　安全与保护特性上，IRF431具备一定的雪崩能量承受能力，可在突发过压或负载突变情况下提供一定程度的自我保护。此外，其栅氧化层经过优化设计，提高了对静电放电（ESD）和过压应力的耐受性，增强了器件在实际装配和运行中的鲁棒性。这些综合特性使其成为高性能功率开关的理想选择。

IRF431被广泛应用于各类需要高效、大电流开关能力的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，常用于多相同步整流架构中的下管或上管，以实现高效的直流电压转换，满足CPU和GPU对低电压、大电流供电的需求。由于其极低的导通电阻和良好的热性能，非常适合在紧凑空间内实现高功率密度设计。
　　在工业自动化与电机驱动系统中，IRF431可用于H桥电路或半桥拓扑中，作为主开关元件控制直流电机或步进电机的正反转及调速。其快速开关响应和高电流承载能力保证了电机运行平稳且响应迅速。此外，在电动车辆的辅助电源系统、电池保护电路以及太阳能逆变器中的直流侧开关也常见其身影。
　　消费类电子产品如高端游戏主机、大功率LED照明驱动、笔记本电脑适配器等也开始采用类似IRF431这样的高性能MOSFET来提升整体能效等级。在这些应用中，器件不仅要承担频繁的开关动作，还需在有限的空间内完成有效散热，而IRF431的封装形式和热特性正好契合这一需求。
　　此外，该器件还可用于UPS不间断电源、焊接设备、医疗电源等对可靠性要求较高的场合。其宽泛的工作温度范围和稳定的电气参数使其能够在恶劣环境下长期稳定运行，为关键系统提供持续保障。

IRF432, IRF433, IRL431, Infineon BSC080N03LS