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IRF3717 发布时间 时间:2025/5/13 10:37:51 查看 阅读:3

IRF3717是Infineon(英飞凌)公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用,如DC-DC转换器、电机驱动、负载切换等。
  该器件的封装形式为PQFN4x4-8L,具有较小的体积和良好的散热性能,适合在空间受限的应用中使用。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:9nC
  开关速度:高
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

IRF3717采用了先进的制造工艺,使其具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 高开关速度,有助于降低开关损耗,并且能够适应高频应用。
  3. 逻辑电平驱动,可以直接与标准数字逻辑电路配合使用,无需额外的驱动电路。
  4. 小型封装PQFN4x4-8L,节省PCB空间的同时提供出色的热性能。
  5. 良好的电气特性和可靠性,能够在严苛的工作环境下稳定运行。

应用

IRF3717广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  1. DC-DC转换器中的同步整流和主开关元件。
  2. 各种类型的电机驱动电路,例如无刷直流电机(BLDC)控制。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载切换和保护功能。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 消费类电子产品中的电源管理单元。

替代型号

IRF7728, IRF3708Z, AO3400

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IRF3717参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.45V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2890pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF3717