类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：57 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：228 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：14 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻RDS(on)：19 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：3060 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容（Coss）：540 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：55 ns
　　工作温度范围：-55 ~ +175 °C
　　封装/外壳：TO-252 (DPAK)

IRF3710STR采用Infineon成熟的沟槽式场效应晶体管技术，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = 10V条件下仅为14mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效。这一特性对于大电流应用场景尤为重要，例如在同步整流DC-DC变换器中，低RDS(on)可减少发热，提升能量转换效率。此外，该器件在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的导通电阻（19mΩ），兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路，增强了其在现代数字控制电源中的适用性。
　　该MOSFET具有较高的电流承载能力，连续漏极电流高达57A，短时脉冲电流可达228A，使其适用于瞬态负载变化较大的场合，如电机启动、LED驱动或电池充放电控制。其优秀的热稳定性得益于TO-252封装结构，底部带有金属散热片，可通过PCB上的大面积铜箔进行有效散热，从而延长器件寿命并提升可靠性。此外，器件内部寄生二极管具有较快的反向恢复时间（trr = 55ns），有助于减少体二极管在续流过程中的反向恢复损耗，特别适用于桥式电路或需要频繁换向的应用。
　　IRF3710STR具备良好的开关特性，输入电容（Ciss）为3060pF，在高频开关环境下所需的驱动功率较小，配合低栅极电荷（Qg典型值约100nC），可实现快速的开关响应，降低开关延迟和交叉导通风险。这使得该器件在PWM控制、开关电源和逆变器中表现优异。同时，±20V的栅源电压耐受能力提供了较强的抗噪声干扰能力和过压保护裕度，提升了系统在恶劣电磁环境下的稳定性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在高温工业环境中长期稳定运行。

IRF3710STR广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器电源、笔记本电脑适配器和嵌入式电源模块中作为主开关或同步整流开关使用。其低导通电阻和高电流能力使其成为大功率电源设计的理想选择。此外，该器件也常用于电机驱动电路，如直流有刷电机控制、步进电机驱动以及电动工具中的H桥驱动拓扑，能够高效地控制电机正反转及调速功能。
　　在逆变器系统中，IRF3710STR可用于工频或高频逆变电路，作为功率切换元件将直流电转换为交流电，适用于太阳能微逆变器、UPS不间断电源和便携式电源设备。其快速开关特性和低开关损耗有助于提高逆变效率并减少散热需求。在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于电池充放电回路的主控开关，实现对锂电池组的安全通断控制。此外，它还可用于LED恒流驱动电源、电焊机电源模块、汽车电子辅助电源以及工业自动化设备中的开关电源单元。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化贴片生产，广泛用于批量制造的消费类和工业类电子产品中。

IRF3710, IRF3710PBF, FQP3710, FDD3710, CEM3710, SIHF3710