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IRF3315PBF 发布时间 时间:2025/5/27 16:30:34 查看 阅读:12

IRF3315PBF 是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用P-Channel技术。该器件广泛应用于各种开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。其设计优化了导通电阻和栅极电荷,从而提高了效率并降低了功耗。IRF3315PBF具备出色的热性能和电气特性,能够满足高效率、高可靠性的应用需求。
  这款器件封装形式为PowerPAK? SO-8,具有低热阻和优异的散热能力,使其在高频和大电流的应用场景中表现出色。通过减少开关损耗和传导损耗,IRF3315PBF成为了许多便携式设备及工业控制系统的理想选择。

参数

最大漏源电压:-30V
  连续漏极电流:-6.4A
  导通电阻:20mΩ
  栅极电荷:2.5nC
  总电容:290pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃
  封装形式:PowerPAK? SO-8

特性

IRF3315PBF的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,能够在高电流条件下提供高效的性能。
  2. 小巧的PowerPAK? SO-8封装,适合空间受限的设计。
  3. 较低的栅极电荷和输出电容,有助于降低开关损耗。
  4. 高度可靠的性能,在极端温度范围内也能保持稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且适用于现代电子设备的要求。
  6. 快速开关速度,可支持高频操作环境。
  这些特性使得IRF3315PBF成为多种电力电子系统中的关键元件,尤其是在需要高效能和高可靠性的应用中表现尤为突出。

应用

IRF3315PBF主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. DC-DC转换器中的高端开关或低端开关。
  3. 各类负载开关,用于保护电路免受过流和短路的影响。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 工业自动化设备中的电机驱动和控制。
  6. 便携式电子设备的电源管理。
  由于其低导通电阻和小封装尺寸,IRF3315PBF非常适合于对效率和空间要求较高的应用场景。

替代型号

IRF7103TRPBF, IRF7105TRPBF, IRF7106TRPBF

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IRF3315PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大94W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF3315PBF