类型：射频晶体管（RF Transistor）
　　技术：GaAs FET
　　工作频率：最高可达2.5 GHz
　　噪声系数：0.55 dB（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　输出功率：23 dBm（典型值）
　　工作电压：5 V
　　封装类型：SOT-89
　　功耗：300 mA（典型电流）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

TB-293+ 是一款具有优异低噪声性能和高线性度的射频晶体管，适合在各种无线通信系统中作为低噪声放大器（LNA）使用。其噪声系数在典型工作条件下仅为0.55 dB，使得该器件能够在弱信号环境中提供出色的接收灵敏度。此外，该器件在2.4 GHz频段下可提供高达18 dB的增益，保证了稳定的信号放大性能。
　　TB-293+ 采用SOT-89封装，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于高密度PCB布局。其工作电压为5V，典型工作电流为300 mA，便于与多种射频前端电路集成。该器件还具备良好的线性输出功率特性，在23 dBm输出功率下仍能保持较低的失真水平，适用于对信号完整性要求较高的应用场景。
　　该晶体管具有宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业级环境。此外，TB-293+ 的封装设计便于表面贴装，提高了制造效率和生产一致性。在高频性能方面，该器件在2.5 GHz频率范围内均可保持稳定工作，适用于Wi-Fi、蓝牙、ZigBee、无线传感器网络等多种无线通信系统。

TB-293+ 主要用于无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）设计，例如Wi-Fi接入点、无线路由器、蓝牙模块、ZigBee收发器和无线传感器网络节点。该器件也广泛应用于卫星通信、蜂窝通信基站、远程监控系统以及工业自动化控制系统的射频接收前端。由于其高线性度和低噪声性能，TB-293+ 也非常适合用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大模块。

HMC311LC4B, ATF-54143, BFU520W