IRF2907ZSTRL7PP 时间：2025/12/26 20:06:48 阅读：7

IRF2907ZSTRL7PP是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换系统中。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术，优化了导通电阻与开关性能之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出卓越的能效表现。IRF2907ZSTRL7PP封装于D2PAK（TO-263）表面贴装封装中，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化生产线的回流焊工艺。其主要设计目标是满足汽车级、工业级及消费类电子中对高可靠性、高电流处理能力和低功耗的需求。该MOSFET特别适合用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、太阳能逆变器以及各类开关电源拓扑结构中。凭借其优异的雪崩能量耐受能力与坚固的栅极氧化层设计，IRF2907ZSTRL7PP能够在严苛的工作环境下稳定运行，确保长期使用寿命和系统安全性。

参数

型号：IRF2907ZSTRL7PP
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：75V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：240A
　　脉冲漏极电流（Idm）：800A
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：0.75mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@4.5V Vgs：1.1mΩ
　　阈值电压（Vgs(th)）典型值：2.1V
　　输入电容（Ciss）@1MHz：22000pF
　　输出电容（Coss）：6500pF
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　最大工作结温（Tj）：175°C
　　封装形式：D2PAK (TO-263)

特性

IRF2907ZSTRL7PP具备极低的导通电阻，典型值在10V栅压下仅为0.75毫欧，这显著降低了大电流条件下的传导损耗，提升了整体系统效率。其采用的先进沟槽栅技术不仅提高了单位面积内的载流子迁移率，还有效减小了芯片尺寸，实现了更高功率密度的设计目标。器件具有出色的开关特性，包括快速的上升和下降时间以及较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关过程中的动态损耗，尤其适用于高频PWM控制场景。
　　该MOSFET具备优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，最大结温可达175°C，支持极端工况下的持续运行。其内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，反向恢复时间仅约25纳秒，可有效降低换流过程中产生的电压尖峰和电磁干扰，提升系统的EMI兼容性。此外，器件通过AEC-Q101汽车级认证，具备高可靠性和抗振动、抗冲击能力，适合车载应用如电动助力转向、车载充电机和DC-DC变换器等。
　　IRF2907ZSTRL7PP还具备良好的雪崩耐量能力，能够承受一定程度的电感负载突变所引起的电压过冲，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其封装采用环保无铅材料，符合RoHS和REACH规范，并支持自动贴片生产，提高制造良率。器件内部引线采用铜夹连接（copper clip）技术，相比传统铝线键合，大幅降低寄生电阻和热阻，进一步提升电流承载能力和散热效率。