型号：IRF2903ZS
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　拓扑结构：N沟道
　　漏源电压VDS：30 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：140 A
　　脉冲漏极电流IDM：560 A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：1.8 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：2.3 mΩ
　　栅极电荷Qg（典型值）：107 nC
　　输入电容Ciss（典型值）：7000 pF
　　开启延迟时间td(on)：28 ns
　　关断延迟时间td(off)：62 ns
　　工作结温范围Tj：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：D2PAK (TO-263)
　　安装方式：表面贴装

IRF2903ZS采用Infineon先进的沟槽栅MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效表现。其RDS(on)最大值在VGS=10V时仅为1.8mΩ，在大电流应用场景下能够有效降低发热，减少对散热器的需求，从而缩小整体电源系统的体积和成本。该器件还表现出优异的开关特性，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）使其在高频开关应用中具有明显优势，能够实现快速的开关响应并降低驱动电路的功耗。得益于优化的芯片设计，IRF2903ZS在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，其额定工作结温高达+175°C，确保了在严苛工况下的长期可靠性。
　　另一个关键特性是其卓越的雪崩能量承受能力（EAS），这意味着即使在发生电压过冲或感性负载突变的情况下，器件也能安全地吸收瞬态能量而不被损坏，极大增强了系统的鲁棒性和耐用性。这一特性特别适用于电机控制和电源启动等存在较大反电动势的应用场合。此外，器件内部结构经过优化，具备良好的热传导路径，结合D2PAK封装的大面积漏极焊盘，可高效地将热量传递至PCB，进一步提升散热效率。该MOSFET还具有较低的热阻（RθJC），有助于维持较低的工作温度，延长使用寿命。其无铅且符合RoHS指令的设计也顺应了绿色电子制造的发展趋势，适用于全球范围内的环保合规产品开发。

IRF2903ZS因其高电流处理能力、低导通损耗和优良的热性能，广泛用于各类高效率功率转换系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器，尤其是在服务器电源、通信设备电源模块以及多相电压调节模块（VRM）中作为高端或低端开关使用。它也常用于电池供电系统中的大电流负载开关或保护电路，例如便携式电动工具、无人机动力系统和电池管理系统（BMS）中的充放电控制。在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机或BLDC电机的H桥驱动电路中，提供高效的功率切换能力。此外，IRF2903ZS还可用于太阳能微型逆变器、LED驱动电源以及UPS不间断电源系统中，发挥其在高频率开关和高温运行环境下的稳定性能。由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化贴片生产线，广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的现代电子设备中。

IRF2804ZLPBF
　　IRL2903Z
　　IPD90R040C6