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IRF1405ZPBF 发布时间 时间:2025/6/19 19:07:27 查看 阅读:4

IRF1405ZPBF 是一款高性能的 N 沣道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Vishay 公司生产。该器件采用先进的制造工艺,专为高频、高效率应用设计。它适用于各种功率转换电路和开关电源解决方案,能够提供低导通电阻和快速开关性能。
  IRF1405ZPBF 的封装形式为 TO-247-3L,这种封装具有良好的散热性能,适合高功率密度的应用场景。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:76A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:88nC
  总电容:97pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

IRF1405ZPBF 提供了非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  其栅极电荷较低,使得驱动功耗得以优化,从而支持高频开关操作。
  该器件具备出色的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  此外,IRF1405ZPBF 还具有较短的开启和关闭时间,进一步提高了开关速度,减少了开关损耗。
  在电磁兼容性方面,此 MOSFET 符合 RoHS 标准,并且具备抗 ESD 能力,确保长期可靠性。

应用

IRF1405ZPBF 广泛应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器和太阳能系统等高功率场合。
  它非常适合需要高效功率传输和快速开关响应的工业和汽车领域。
  由于其低导通电阻和大电流处理能力,该器件也常用于负载点调节和电池管理方案中。

替代型号

IRF1405ZTRPBF, IRF1405ZFPBF

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IRF1405ZPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.9 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4780pF @ 25V
  • 功率 - 最大230W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF1405ZPBF