型号：CL21X225KOFNNNE
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0805 (2012)
　　电容值：2.2μF (225表示2.2×10^5 pF)
　　容差：±10% (K)
　　额定电压：16V DC
　　介电材料：X7R (或X5R)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (X7R)
　　安装类型：表面贴装 (SMT)
　　层数结构：多层陶瓷 (MLCC)
　　端接材质：镍阻挡层/锡外涂层 (Ni-Sn)
　　产品系列：CL21
　　符合标准：RoHS, REACH, AEC-Q200（部分等级）

CL21X225KOFNNNE作为三星CL系列中的高性能多层陶瓷电容，具备优异的电气稳定性和机械可靠性。其采用先进的陶瓷介质材料与内电极交替堆叠工艺，实现高电容密度的同时保持较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而在电源去耦和噪声滤波应用中表现出色。该器件的X7R介电材料确保了在-55°C到+125°C的宽温度范围内电容值变化控制在±15%以内，适合工作环境复杂的应用场景，如工业控制、汽车电子和通信设备。此外，CL21系列优化了端电极结构，采用铜内电极加镍阻挡层和锡外涂层的设计，有效提升了抗热冲击能力和耐潮湿性能，减少因温度循环导致的裂纹风险。该电容支持高速自动贴片机装配，适用于大规模SMT生产线，并兼容无铅回流焊工艺（峰值温度可达260°C）。在长期可靠性方面，经过严格的寿命测试和高温高湿偏置（H3TRB）验证，确保在恶劣环境下仍能维持稳定的电性能。值得一提的是，该型号在直流偏压下的电容保持率相对较高，相较于普通Y5V材质产品，在16V工作电压下仍能保持70%以上的标称电容量，显著提升实际使用效能。此外，其低损耗因子（tanδ ≤ 2.5%）和高绝缘电阻（IR ≥ 1000MΩ 或 R × C ≥ 100S）进一步保障了电路的稳定性与安全性。整体而言，CL21X225KOFNNNE是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的主流MLCC器件，广泛用于去耦、滤波、定时和耦合电路中。
　　该器件还具备良好的抗老化特性，电容值不会随时间发生显著衰减（非铁电型介质），且具有极低的噪声和非线性失真，适用于模拟信号路径中的耦合应用。对于高频应用，虽然其自谐振频率受寄生电感影响，但在数十MHz以下频段仍可有效发挥滤波作用。通过并联多个不同容值的MLCC，可扩展有效滤波带宽，提升系统EMI抑制能力。总之，CL21X225KOFNNNE凭借其稳定的温度特性、可靠的结构设计和成熟的制造工艺，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

CL21X225KOFNNNE广泛应用于各类需要中等容量、中等电压贴片电容的电子电路中。典型应用场景包括电源管理单元中的输入/输出滤波电容，用于平滑开关电源（如DC-DC转换器、LDO稳压器）产生的电压纹波，提高供电质量。在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的电源引脚附近，该电容常被用作去耦电容，快速响应瞬态电流变化，抑制高频噪声传播，防止系统误动作或信号干扰。此外，在模拟前端电路中，它可用于信号耦合与直流阻隔，特别是在音频处理、传感器接口和运算放大器电路中表现良好。工业自动化设备、医疗电子装置、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能家居控制器）以及车载信息娱乐系统均普遍采用此类MLCC。由于其工作温度范围宽且可靠性高，也适用于汽车电子模块，如车身控制模块（BCM）、ADAS传感器供电电路等，满足AEC-Q200可靠性标准的部分等级要求。在通信基础设施中，该电容可用于基站射频模块的偏置电路滤波或以太网PHY芯片的电源净化。此外，在LED驱动电源、智能电表、无线充电模块等中低功率电源系统中，CL21X225KOFNNNE也常作为储能和滤波元件使用。得益于其小型化封装和高容积比优势，特别适合对PCB空间有严格限制的便携式设备。同时，其良好的焊接适应性使其能够稳定地集成于回流焊生产工艺中，适合大批量自动化生产。总之，该器件因其综合性能优越，已成为现代电子产品中广泛应用的关键被动元件之一。

GRM21BR71C225KA99L
　　C2012X5R1C225K
　　CL21A225KPFNNNE
　　TC321B71C225K