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IRC530PBF 发布时间 时间:2025/8/6 18:22:11 查看 阅读:29

IRC530PBF是一款由International Rectifier(现为Infineon Technologies的一部分)制造的功率MOSFET晶体管。这款MOSFET属于N沟道增强型功率晶体管,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等多种高功率应用场景。该器件采用TO-220AB封装,具备良好的热管理和高电流承载能力。由于其高性能和可靠性,IRC530PBF被广泛应用于工业控制、汽车电子和消费类电源系统中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):50A(在25°C环境温度下)
  导通电阻(Rds(on)):0.044Ω(最大值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
  最大功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装类型:TO-220AB

特性

IRC530PBF具有多项优异的电气和热性能特点。首先,其低导通电阻(Rds(on))能够显著降低导通状态下的功率损耗,提高整体系统效率。其次,该MOSFET具有高耐压能力,最大漏源电压可达100V,适用于多种中高压功率转换应用。此外,该器件具备较高的电流承载能力,在适当的散热条件下可支持高达50A的漏极电流,适用于大功率负载切换和马达驱动等场景。
  在热管理方面,IRC530PBF采用TO-220AB封装,具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围适中,通常可在4.5V至10V之间实现完全导通,兼容常见的逻辑电平驱动电路,如微控制器或PWM控制器。此外,该MOSFET具有快速开关特性,适用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)和同步整流电路。
  在可靠性方面,IRC530PBF具备较高的耐用性和长期稳定性,能够在恶劣的工业和汽车环境中可靠运行。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C,适应各种极端工作条件。

应用

IRC530PBF广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、逆变器、功率放大器以及工业自动化控制系统。在电源管理方面,该MOSFET适用于高效率的电压调节模块(VRM)和同步整流器设计。在汽车电子中,它可用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)和车用逆变器。此外,在消费类电子产品中,如高性能电源适配器、LED驱动电源和智能家电控制电路中,也常见其应用。

替代型号

IRF530N、STP55NF06、FDP530N、SiHF530-E3

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IRC530PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点电流感测
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
  • 功率 - 最大88W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-5
  • 供应商设备封装TO-220-5
  • 包装管件
  • 其它名称*IRC530PBF