类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　频率响应（fT）：250MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

DTA114EE晶体管具有多项优良特性，使其在众多电子电路中具有广泛应用。首先，它的集电极-发射极电压（VCEO）和集电极-基极电压（VCBO）均为50V，能够承受较高的电压，适合用于中等功率的开关和放大电路。其次，该晶体管的集电极电流最大可达150mA，满足大多数低功耗应用的需求。
　　DTA114EE的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，具体数值取决于其等级（例如O档、Y档、GR档、BL档等）。这种高增益特性使其在放大电路中表现出色，能够有效放大微弱信号。此外，该器件的频率响应（fT）为250MHz，具备良好的高频响应能力，适用于射频（RF）和高速开关应用。
　　该晶体管的功耗为300mW，能够在较高的温度环境下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件。封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，并具有良好的热稳定性。
　　DTA114EE还具有较高的可靠性，适用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域的多种应用场景。例如，在数字电路中作为开关元件，在模拟电路中作为信号放大器，或者在功率驱动电路中作为前置驱动级。

DTA114EE晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几个方面：
　　1. **通用开关电路**：由于其较高的电流增益和稳定的开关特性，DTA114EE常用于数字电路中的开关元件，例如微控制器输出驱动、继电器控制、LED驱动等。
　　2. **信号放大电路**：在音频放大器、传感器信号调理电路中，DTA114EE可以作为前置放大器使用，提供良好的信号增益和低噪声性能。
　　3. **射频（RF）应用**：其250MHz的频率响应使其适用于低频射频放大和调制解调电路。
　　4. **工业控制和自动化**：在PLC、电机驱动、电源管理等工业设备中，DTA114EE可用于驱动继电器、电磁阀等负载。
　　5. **消费电子产品**：如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等产品中，DTA114EE凭借其小尺寸和高性能，广泛用于电源管理、信号处理等电路中。

BC847系列, 2N3904, PN2222A, DTC114EKA