类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：100A（在25°C）
　　导通电阻(RDS(on))：最大5.3mΩ（在VGS=10V时）
　　封装形式：PowerPAK SO-8双面散热封装
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　最大功耗：3.8W
　　封装尺寸：5.0mm x 6.0mm
　　安装类型：表面贴装（SMT）

IR9431N1/T1具有多个显著的性能优势。首先，其超低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了电源转换效率并减少了发热。该器件采用PowerPAK SO-8封装，具备优异的热性能，有助于在高电流条件下保持稳定运行。此外，该MOSFET具备较高的栅极阈值电压稳定性，能够在各种工作条件下保持良好的开关性能。
　　该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平（如5V或10V驱动），使得其可以与多种控制器或驱动IC配合使用，简化了电路设计。IR9431N1/T1还具备快速开关特性，有效降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，IR9431N1/T1具备较强的雪崩能量承受能力，确保在负载突变或短路情况下仍能保持一定的耐受能力，从而提高系统的可靠性。该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于自动化贴片生产线。

IR9431N1/T1广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括同步整流型DC-DC转换器、多相电源、负载开关、笔记本电脑和服务器电源管理、电池供电设备、电机驱动器、热插拔电源系统以及汽车电子中的功率控制模块。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于高效率、高密度电源设计，如USB PD电源适配器、PoE（以太网供电）系统、电源管理IC（PMIC）外围开关等。在工业自动化和通信设备中，IR9431N1/T1也被广泛用于高性能电源模块和负载切换控制。

Si7431DP-T1-E3, AO4431, SQJ4431EP-T1_GE3