时间：2025/8/29 17:51:07
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IR928-6C(6-2) 是一种常用的功率MOSFET驱动器集成电路，广泛用于各种电源转换和电机控制应用。该芯片由Infineon Technologies（英飞凌）生产，设计用于高效驱动N沟道功率MOSFET和IGBT器件。IR928-6C(6-2) 特别适用于需要高侧和低侧驱动能力的半桥拓扑结构，其高集成度和可靠性使其成为工业控制、电源管理和电机驱动领域的理想选择。
工作电压范围：10V至20V
输出电流能力：高端和低端各为200mA/300mA（峰值）
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：DIP-8 或 SOIC-8
死区时间控制：可调
输入信号兼容CMOS/TTL电平
欠压保护（UVLO）功能
IR928-6C(6-2) 具备多项保护功能，包括欠压锁定（UVLO）和交叉传导保护，确保在电源电压不稳定时避免功率器件误动作。其内部高侧驱动器采用浮动电源供电技术，可以实现高压侧MOSFET的高效驱动。此外，该芯片还具备可调死区时间控制功能，允许设计人员根据具体应用需求调整上下桥臂MOSFET之间的关断延迟，从而防止短路和提高系统效率。由于其兼容TTL/CMOS输入信号，该驱动器可以轻松与各种微控制器和PWM控制器接口。IR928-6C(6-2) 还具备较强的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境下稳定工作。
该芯片的封装形式通常为DIP-8或SOIC-8，适合各种PCB布局需求。在应用中，IR928-6C(6-2) 常与功率MOSFET或IGBT配合使用，构建出高效的半桥驱动电路。其高集成度不仅减少了外围元件数量，还提高了系统的整体可靠性。
IR928-6C(6-2) 被广泛应用于各类电力电子设备中，如直流电机驱动器、无刷直流电机控制、开关电源（SMPS）、逆变器、UPS系统以及各种工业自动化控制设备。在电动车、电动工具和家用电器中也有广泛的应用。由于其高可靠性和优异的驱动性能，该芯片在汽车电子、工业电源和智能电网等领域也得到了越来越多的关注。
IR21844PBF、IR2110、LM5101B、IRS2104S
