IR7626 时间：2025/12/26 19:42:42 阅读：12

IR7626是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的高性能、高集成度的功率MOSFET驱动器芯片，专为驱动N沟道功率MOSFET和IGBT等功率开关器件而设计。该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明镇流器以及各种需要高效、可靠驱动功率晶体管的场合。IR7626采用先进的BCD工艺制造，具备高抗噪能力、快速响应时间和出色的热稳定性，能够在严苛的工业和汽车环境中稳定工作。该芯片集成了高端和低端驱动电路，支持半桥拓扑结构，可有效简化外围电路设计并提升系统整体效率。此外，IR7626内置了多种保护功能，如欠压锁定（UVLO）、过流保护和防直通逻辑，能够有效防止因误操作或异常工况导致的功率器件损坏，提高系统的安全性和可靠性。其高边驱动支持自举供电方式，适用于高达数百伏的母线电压应用，同时具备出色的共模瞬态抗扰度（CMTI），确保在高频开关环境下信号传输的稳定性。IR7626提供小型化封装，如SOIC-8或类似尺寸，便于在紧凑型PCB布局中使用，并具备良好的散热性能。

参数

类型：半桥栅极驱动器
　　通道类型：高边/低边驱动
　　输入电压兼容性：TTL/CMOS兼容
　　工作电压范围（VDD）：10V 至 20V
　　高边输出浮动电压：最高可达+600V
　　峰值输出电流：典型值±1.5A
　　传播延迟时间：通常小于200ns
　　上升时间（典型值）：约40ns（1000pF负载）
　　下降时间（典型值）：约30ns（1000pF负载）
　　死区时间：内置防直通逻辑，避免上下管同时导通
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：SOIC-8、DIP-8等

特性

IR7626具备多项先进特性，使其成为高可靠性功率驱动应用的理想选择。首先，其高边驱动采用自举架构，支持高侧开关在母线电压高达600V的条件下正常工作，适用于PFC电路、逆变器和电机驱动等高压场景。芯片内部集成了独立的高端与低端驱动通道，每个通道均可提供高达±1.5A的峰值电流输出，足以快速充放电MOSFET栅极电容，从而显著降低开关损耗，提升系统能效。
　　其次，IR7626具有优异的噪声抑制能力，其高共模瞬态抗扰度（CMTI）性能确保在dv/dt较高的开关瞬态过程中，逻辑信号不会发生误触发，保障系统稳定运行。这一特性在高频开关电源和电机控制中尤为重要，有助于减少电磁干扰（EMI）并提升系统鲁棒性。
　　再者，芯片内置完善的保护机制。欠压锁定（UVLO）功能确保在电源电压未达到正常工作阈值前，输出保持关闭状态，防止MOSFET因驱动不足而进入线性区造成过热损坏。同时，逻辑输入端设有互锁机制，防止高边与低边输出同时导通，有效避免桥臂短路（即“直通”）现象的发生，进一步增强系统安全性。
　　IR7626还具备良好的温度适应性，可在-40°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，满足工业级和部分汽车级应用需求。其封装设计优化了热阻性能，便于热量传导，延长器件寿命。此外，输入引脚兼容TTL和CMOS电平，方便与各类微控制器、DSP或PWM控制器直接接口，无需额外电平转换电路，降低了系统复杂度和成本。
　　综上所述，IR7626以其高集成度、强驱动能力、多重保护功能和优良的抗干扰性能，成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件，尤其适合对效率、可靠性和空间布局有严格要求的应用场景。

应用

IR7626广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效驱动半桥或全桥拓扑结构的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在有源功率因数校正（PFC）升压电路中，作为控制MOSFET或IGBT的驱动器，确保高效率能量转换和稳定的输出电压。在DC-DC变换器中，IR7626可用于驱动同步整流器或功率开关，提升转换效率并降低温升。
　　在电机驱动领域，无论是家用电器中的风机控制，还是工业自动化中的三相逆变器，IR7626都能为桥式电路中的上下管提供可靠驱动，配合PWM控制实现精确调速和转矩控制。此外，在LED照明系统中，特别是大功率LED驱动电源中，IR7626用于驱动升压或半桥谐振变换器，确保恒流输出和高光效。
　　在新能源应用方面，如太阳能逆变器和电动汽车车载充电机（OBC）中，IR7626也发挥着重要作用。其高耐压能力和强抗干扰特性使其能够在高压直流母线下稳定工作，保障系统长期运行的可靠性。此外，由于其小型化封装和高集成度，IR7626也适用于空间受限的嵌入式电源模块和模块化电源设计，帮助工程师实现更紧凑的产品布局。
　　总之，IR7626凭借其通用性强、性能稳定、保护完善等优点，已成为众多中高功率电力电子设备中的标准驱动解决方案之一。