IR3Y30M1 时间：2025/8/28 9:23:08 阅读：6

IR3Y30M1 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于 DC-DC 转换器、同步整流、电池管理系统和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大漏极电流(ID)：120A（在25°C）
　　导通电阻(RDS(on))：1.8mΩ（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：55nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8-1（表面贴装）

特性

IR3Y30M1 具备多项先进的电气和热性能，能够满足高功率密度和高效能设计的需求。其主要特性包括：
　　1. **低导通电阻**：RDS(on) 典型值仅为 1.8mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　2. **高电流能力**：最大漏极电流可达120A，适合高功率输出的应用场景。
　　3. **优异的热管理**：采用了先进的封装技术，提供良好的散热性能，确保在高负载下稳定运行。
　　4. **快速开关特性**：较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），减少了开关损耗，提高了开关速度。
　　5. **宽工作温度范围**：支持 -55°C 至 175°C 的工作温度范围，适用于严苛的工业和汽车环境。
　　6. **高可靠性**：通过了AEC-Q101汽车级认证，确保在恶劣条件下仍具有出色的稳定性和寿命。

应用

IR3Y30M1 主要应用于需要高效功率转换和高可靠性的电子系统中，包括：
　　1. **DC-DC 转换器**：适用于服务器电源、通信设备和工业电源中的同步整流拓扑。
　　2. **电池管理系统**：用于电动工具、电动车辆和储能系统的充放电控制电路。
　　3. **负载开关**：在电源管理模块中实现高电流负载的快速开关控制。
　　4. **电机驱动器**：用于工业自动化设备和机器人系统中的高效率电机控制。
　　5. **汽车电子系统**：如车载充电器、DC-DC变换器和车身控制模块等应用。