类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大8.7mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：45nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TSOP

IR3Y30M1-I 具备多项优异的电气和热性能，使其在高功率密度应用中表现出色。
　　首先，其导通电阻（RDS(on)）非常低，最大仅为8.7mΩ，在VGS=10V条件下可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。这种低导通电阻特性使得该器件在高电流应用中具有更低的功率损耗和温升，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　其次，该MOSFET采用英飞凌的OptiMOS技术，优化了开关性能。其栅极电荷（Qg）为45nC，这使得开关过程中所需的能量较小，从而降低了开关损耗。这对于高频开关应用尤为重要，因为它可以减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统的效率。
　　此外，IR3Y30M1-I的封装设计采用了TSOP封装技术，具有良好的散热性能和较小的封装尺寸。这种封装形式不仅提高了器件的热传导效率，还使得该器件适用于高密度电路板设计，有助于减小电源模块的体积并提高集成度。
　　在工作温度方面，该器件支持-55°C至+175°C的宽温度范围，使其能够在极端环境条件下稳定工作。这种宽温度范围特性使其适用于汽车电子、工业控制、通信设备等对温度要求较高的应用场景。
　　最后，IR3Y30M1-I的栅源电压（VGS）最大可达±20V，具备较高的栅极电压耐受能力，从而提高了器件在复杂工作环境中的稳定性。其最大漏源电压（VDS）为30V，最大漏极电流（ID）为30A，适用于中高功率的电源转换和负载开关应用。

IR3Y30M1-I 主要应用于需要高效能、高功率密度的电源系统中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化和汽车电子中的电源管理模块。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET作为开关元件，用于高频开关操作，实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和低开关损耗，可以在高频率下保持较高的转换效率，从而减小电感和电容的尺寸，提升整体系统的功率密度。
　　在同步整流器中，IR3Y30M1-I可用于替代传统的二极管整流器，从而显著降低整流过程中的导通压降和功率损耗，提高电源转换效率。这在高电流输出的电源适配器、服务器电源和通信设备电源中尤为重要。
　　作为负载开关，该器件可用于控制电源的通断，适用于便携式设备、笔记本电脑、平板电脑等需要电源管理的场合。其快速开关特性和低导通电阻有助于实现快速响应和低功耗运行。
　　在汽车电子应用中，IR3Y30M1-I可用于车载电源系统、车载信息娱乐系统（IVI）、车载充电器（OBC）等，其宽工作温度范围和高可靠性能够满足汽车环境下的严苛要求。
　　此外，该器件也适用于电机驱动和功率放大器等应用，能够提供稳定的高电流输出并保持良好的热稳定性。

IPD30N03S4-03, BSC030N03LS, FDS4410, AO4406