IR3Y26A3 时间：2025/8/28 20:45:13 阅读：22

IR3Y26A3是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高功率密度的电源应用。该器件采用了先进的技术，具备较低的导通电阻和优异的热性能，使其在各种功率转换系统中表现出色。IR3Y26A3主要用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A（在Tc=100°C）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.3mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约140nC（在VGS=10V时）
　　封装类型：PowerPAK SO-8双封装（双通道）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

IR3Y26A3的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用了PowerPAK SO-8双封装技术，具有优异的热管理和电气性能，能够在高电流条件下稳定工作。此外，IR3Y26A3的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而减小外部组件的尺寸和成本。该器件还具备良好的短路耐受能力，增强了在恶劣工作环境下的可靠性和稳定性。
　　IR3Y26A3的另一个显著特点是其高电流承载能力。该MOSFET能够在高温环境下保持良好的性能，适合用于高功率密度的设计。其封装设计优化了PCB布局的灵活性，减少了寄生电感的影响，提高了系统的整体性能。此外，该器件的引脚排列设计有助于简化PCB布线，减少开关噪声和干扰。

应用

IR3Y26A3广泛应用于各种高功率和高效率的电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、电源管理模块以及电池管理系统。在服务器电源、电信设备、工业自动化设备和电动汽车充电系统等场合，IR3Y26A3都能够发挥出色的性能。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效率和高功率密度的场合。此外，在高性能计算设备和嵌入式系统中，该MOSFET也常用于电源转换和能量管理电路中。