时间：2025/6/29 3:55:09
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FDS8842NZ-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小尺寸的 SOT-23 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于便携式设备、消费类电子以及需要高效能转换的应用场景。
其主要特点是低功耗、高效率和易于使用，能够显著降低系统的能耗并提升整体性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻（典型值）：55mΩ
栅极电荷：3nC
总电容（输入电容）：9pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FDS8842NZ-NL 的导通电阻非常低，仅为 55mΩ（典型值），这使得它在负载开关、同步整流器和 DC/DC 转换器等应用中表现出色。此外，它的快速开关能力有助于减少开关损耗。
该器件还具有较低的栅极电荷和输入电容，从而进一步优化了开关性能。SOT-23 封装的设计使其非常适合空间受限的电路板布局。
FDS8842NZ-NL 提供了出色的热稳定性和可靠性，在高温环境下也能保持良好的性能表现。
这款 MOSFET 广泛应用于各种低功率系统中，包括但不限于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关
2. 电池供电设备的电源管理
3. 同步整流和降压转换器
4. LED 驱动器
5. 消费类电子产品中的保护电路
6. 数据通信设备中的小型化设计
FDS8842Z, BSS138, AO3400
