IR3S85N2/T2 时间：2025/8/28 5:10:49 阅读：4

IR3S85N2/T2是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和照明系统等高频率、高效率的功率电子设备中。该MOSFET采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和卓越的热稳定性。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压(VDS)：25V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：8.5A
　　导通电阻(RDS(on))：最大值28mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散(PD)：3.8W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOP

特性

IR3S85N2/T2具备多项优越的电气和物理特性，适用于各种高效率功率转换应用。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至12V之间正常工作，使其兼容多种驱动电路设计。
　　此外，该MOSFET采用先进的沟槽技术，提高了芯片的电流密度和热稳定性，从而增强了器件在高负载条件下的可靠性。其TSOP封装设计不仅提供了良好的散热性能，还支持紧凑型PCB布局，适用于空间受限的应用场景。
　　IR3S85N2/T2还具备出色的短路耐受能力和快速开关特性，使其在高频开关应用中表现出色。该器件通过AEC-Q101汽车电子标准认证，适用于车载电子系统和电动车辆应用中的关键功率管理模块。

应用

IR3S85N2/T2主要应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电路、工业自动化设备以及汽车电子系统。例如，在汽车应用中，该MOSFET可用于电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及车身控制模块（BCM）等场合。
　　在消费电子领域，IR3S85N2/T2常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电源适配器中的电源开关和功率调节电路。其高效率和低损耗特性使其成为设计高密度、高效率电源解决方案的理想选择。
　　在工业控制领域，该器件适用于电机驱动、伺服控制、PLC模块以及智能电表等应用。其良好的热性能和稳定的工作特性可确保在恶劣工作环境下依然保持可靠运行。