IR3R56N4/E2 时间：2025/8/28 2:52:40 阅读：9

IR3R56N4/E2 是一款由 Infineon（英飞凌）公司生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件设计用于高效地控制电流流动，具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特性，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用。IR3R56N4/E2 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，有助于提高系统整体效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：60V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id（在 25°C）：160A
　　导通电阻 Rds(on)（最大值，Vgs=10V）：5.6mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

IR3R56N4/E2 的核心优势在于其优异的导电性能和热稳定性。其导通电阻仅为 5.6mΩ，在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高能效。此外，该器件具有较高的电流承载能力，在 25°C 环境温度下可承受 160A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。其最大漏源电压为 60V，能够满足大多数中低压功率应用的需求。该 MOSFET 还具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作，最高工作温度可达 175°C，从而提高了系统的可靠性和耐用性。
　　该器件采用 TO-263（D2PAK）封装形式，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，有助于实现高密度和高效能的 PCB 设计。同时，该封装形式具有较强的机械强度和热稳定性，能够适应各种复杂的工作环境。IR3R56N4/E2 在设计上还优化了开关性能，降低了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器等。
　　此外，IR3R56N4/E2 具有良好的栅极驱动兼容性，支持常见的 10V 栅极驱动电压，适用于多种控制器和驱动电路。其栅极电荷较低，有助于减少驱动损耗，提高系统效率。在实际应用中，该器件还可通过并联使用来进一步提升电流承载能力，满足更高功率的应用需求。

应用

IR3R56N4/E2 主要应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器以及工业自动化控制系统等。在服务器电源、通信电源、电动车充电模块、储能系统等高性能电源系统中，该器件可作为主开关或同步整流元件使用，有效提升系统的转换效率和可靠性。此外，该 MOSFET 还可用于逆变器、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等新能源应用领域。由于其高电流能力和良好的热稳定性，IR3R56N4/E2 也常用于高功率 LED 照明驱动和高效率电机控制电路中。