IR3R21 是一款由 Infineon(英飞凌)推出的功率 MOSFET 驱动器芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等电力电子系统中。该芯片设计用于高效驱动 N 沟道 MOSFET,具备高驱动能力和良好的热稳定性,适用于中高功率应用。IR3R21 采用紧凑型封装,降低了 PCB 空间需求,同时提供了多种保护功能,如过流保护、欠压锁定和过热保护,以增强系统的可靠性和安全性。
工作电压范围:4.5V 至 20V
输出驱动电流:最大 1.7A(峰值)
工作频率范围:100kHz 至 1MHz
输入信号兼容性:TTL/CMOS
封装类型:SOIC-8
温度范围:-40°C 至 +125°C
导通延迟时间:典型值 30ns
关断延迟时间:典型值 25ns
IR3R21 具备多项高性能特性,能够满足多种功率转换应用的需求。首先,其宽输入电压范围(4.5V 至 20V)使其适用于广泛的电源系统,包括低压 DC-DC 转换器和高压电机驱动应用。该芯片的高驱动电流能力(最高可达 1.7A 峰值电流)确保能够快速驱动大功率 MOSFET,降低开关损耗,提高系统效率。
此外,IR3R21 的导通和关断延迟时间较短,分别仅为 30ns 和 25ns,有助于实现高频开关操作,从而减小功率电感和电容的尺寸,提升整体系统的功率密度。其 TTL/CMOS 输入兼容性使得芯片能够与各种控制器(如 DSP、MCU 或 PWM 控制器)无缝连接,增强了系统集成的灵活性。
在保护功能方面,IR3R21 内置了多项安全机制,包括欠压锁定(UVLO),以防止在电源电压不足时误操作;过热保护(OTP)可防止芯片因过热而损坏;以及可配置的过流保护(OCP)功能,以应对负载异常情况。这些特性显著提高了系统的稳定性和安全性,降低了外部保护电路的设计复杂度。
最后,IR3R21 采用标准的 SOIC-8 封装,具有良好的散热性能和较小的 PCB 占用空间,适合高密度电源模块设计。
IR3R21 被广泛应用于多种电力电子系统中,包括但不限于:高性能 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器、电源管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高驱动能力和集成保护功能使其特别适合需要高效率、高可靠性的中高功率应用场景。
IR2104、LM5101、MIC5020