类型：IGBT驱动光耦
　　封装形式：DIP-14
　　最大工作电压：25V（输入侧）
　　最大输出电压：30V
　　最大输出电流：0.3A
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　传输延迟时间：最大2.0μs
　　输入电流：10mA至30mA
　　输出电压范围：15V至30V
　　绝缘电压：2500Vrms

IR3P79采用先进的光耦隔离技术，确保了输入和输出电路之间的高绝缘性能，能够在高压和高噪声环境下稳定工作。其内部集成了IGBT驱动所需的保护功能，如过流保护、欠压锁定保护（UVLO）和短路保护等，大大提高了系统的可靠性。该芯片具有较高的输入与输出隔离电压，可承受高达2500Vrms的隔离电压，适用于工业级恶劣环境。IR3P79还具备较强的抗电磁干扰（EMI）能力，能够有效防止高频开关噪声对控制信号的干扰。其传输延迟时间较低，通常在2.0μs以内，适合高速开关应用。此外，该芯片的电源供电范围较宽，可在15V至30V之间正常工作，便于与多种功率器件配合使用。
　　IR3P79的驱动输出能够提供足够的栅极驱动电流，保证IGBT或MOSFET快速开通与关断，从而降低开关损耗并提高系统效率。在保护功能方面，一旦检测到IGBT发生短路或过流故障，芯片会自动关闭输出以防止器件损坏。同时，其欠压锁定功能可在电源电压低于设定阈值时自动关断输出，避免IGBT在非安全电压下工作。这种内置保护机制不仅提高了系统稳定性，还减少了外围电路的设计复杂度，有助于简化整体电路布局。
　　由于其高可靠性和优异的电气性能，IR3P79被广泛用于各类电力电子设备中，如变频器、伺服驱动器、电动汽车充电模块、太阳能逆变器等。

IR3P79主要应用于需要高隔离度和可靠驱动能力的功率电子系统中，如工业变频器、伺服电机驱动器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及各类高电压开关电源设备。在这些应用中，它负责将控制器（如DSP、FPGA或微控制器）发出的PWM信号转换为适合IGBT或功率MOSFET使用的驱动信号，并提供必要的电气隔离和保护功能，以确保系统的安全运行。

HCPL-316J, TLP250, IR2110, PC923