类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A（在Tc=25℃）
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

IR3P58A采用了先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。其高电流容量和低热阻特性使得该器件在高功率应用中表现出色。
　　该MOSFET的封装形式为PowerPAK SO-8双侧散热封装，具有优异的热性能和电气性能，适用于高密度和高效率的设计需求。栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到20V的工作电压，从而可以兼容多种驱动电路设计。
　　IR3P58A还具备良好的雪崩能量承受能力，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和稳定性。其快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，IR3P58A具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂的电磁环境中保持正常工作，适用于工业控制和汽车电子等对可靠性要求较高的场合。

IR3P58A适用于多种功率电子应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、光伏逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在电源管理系统中，IR3P58A可用于高效能的电源转换，提升整体系统的能效并减少发热。在电机控制应用中，它能够提供高效的电流控制能力，满足高性能电机驱动的需求。
　　由于其优异的热管理和高可靠性，IR3P58A也常用于汽车电子系统中，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统等。在这些应用中，IR3P58A能够承受较高的工作温度和复杂的电磁环境，确保系统稳定运行。

IRF3710, IRF1405, IRF3205