类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：120A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.6mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：42nC
　　功率耗散（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PG-HSOF-8-48

IR3P56 具备多项先进的电气和热性能特性，适用于高功率密度和高效率的应用场景。
　　首先，其导通电阻仅为 5.6mΩ，显著降低了在高电流下的导通损耗，使得在高负载条件下也能保持较低的温度上升。这种低 Rds(on) 特性对于提高 DC-DC 转换器和电源管理模块的效率至关重要。
　　其次，该器件支持高达 120A 的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力，适合高功率应用如服务器电源、电信设备和工业电源系统。
　　此外，IR3P56 采用了英飞凌的 OptiMOS? 沟槽技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，从而在高频工作条件下也能保持良好的效率表现。
　　该 MOSFET 还具备宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C），适用于各种严苛环境下的应用。其栅极电荷（Qg）为 42nC，有利于减少驱动电路的负担，提高开关速度。
　　封装方面，IR3P56 采用 PG-HSOF-8-48 封装，具有良好的散热性能和可靠性，适用于自动化贴片生产工艺。

IR3P56 主要应用于需要高效能功率转换和控制的场合，如服务器和通信设备的电源模块、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统等。
　　在服务器和数据中心的电源供应系统中，IR3P56 的低导通电阻和高电流能力有助于提升整体能效，降低热量产生，从而提升系统稳定性和寿命。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件可用于高频率开关电路，提高系统响应速度和效率。
　　同时，由于其出色的热性能和封装设计，IR3P56 也适用于汽车电子系统中对可靠性和耐温性要求较高的应用，如车载充电器和DC-DC转换器。

IR3P55, IR3P57, BSC120N03MS, BSC090N03MS