时间：2025/9/2 11:23:32
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H26M31002GPR 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片主要用于嵌入式系统、工业控制、消费类电子产品等多种应用场景，提供高性能的数据存储与处理能力。H26M31002GPR 的设计旨在满足对存储容量和速度有较高要求的系统需求。
容量：256MB
类型：DRAM
封装类型：TSOP
频率：166MHz
电压：2.3V - 3.6V
接口类型：并行接口
数据宽度：16位
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H26M31002GPR 是一款高性能的DRAM存储器芯片，具备256MB的存储容量和166MHz的工作频率，能够提供快速的数据存取速度。其采用TSOP（薄型小外形封装）技术，有助于减少芯片的体积，同时确保良好的散热性能。这款芯片的电压范围为2.3V至3.6V，适用于多种电源环境，具有广泛的兼容性和稳定性。其并行接口设计和16位数据宽度，使得数据传输更加高效，适用于需要高速数据处理的应用场景。此外，H26M31002GPR 支持宽温度范围（-40°C至+85°C），适用于恶劣的工作环境，如工业控制和汽车电子系统。
该芯片的设计注重可靠性和稳定性，支持长时间连续工作，适用于各种嵌入式系统和工业设备。其低功耗特性也使其适用于对能耗有严格要求的应用场景。
H26M31002GPR 广泛应用于多个领域，包括嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品、汽车电子系统、网络设备和通信设备等。其高速存储能力和宽温度范围使其适用于需要高可靠性和稳定性的工业控制系统。此外，该芯片也可用于手持设备、智能终端、显示设备等产品中，提供高效的数据存储与处理能力。
H26M31002GPR-A100, H26M31002GPR-A120, HY57V281620FTP-6A
