IR3P38 时间：2025/8/28 20:15:41 阅读：27

IR3P38 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频开关应用。这款器件采用了先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻和开关性能，适用于如电源转换、电机控制和电池管理系统等应用场景。IR3P38 以其高可靠性和优异的热性能，成为许多高功率电子系统设计中的重要组件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-220

特性

IR3P38 的一个重要特性是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流条件下，器件的功率损耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。
　　此外，该MOSFET具有出色的热性能，能够承受较高的工作温度，并在高温环境下保持稳定运行，这得益于其高效的散热设计和封装技术。
　　其高栅极电荷（Qg）和低反向恢复电荷（Qrr）特性，使得该器件在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，提高了响应速度。
　　IR3P38 还具备良好的抗雪崩击穿能力，能够承受瞬时高电压冲击，从而增强了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
　　该器件的封装设计（TO-220）便于安装和散热，适合各种功率电子设备的制造和应用。

应用

IR3P38 常用于高功率和高频开关电路中，例如直流-直流转换器（DC-DC Converters）和电机控制模块。
　　它也广泛应用于工业自动化设备中的电源管理系统，以及高性能电池管理系统（BMS）中，用于高效能充放电控制。
　　由于其优异的开关性能和高可靠性，该器件也常用于电动工具、电动车控制器和不间断电源（UPS）等应用中。
　　IR3P38 还被广泛应用于LED照明驱动电路和智能家电中的功率控制模块，以提高能效和稳定性。
　　此外，它也适用于工业焊接设备、电镀电源和太阳能逆变器等高功率电子系统中。