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IR3P38 发布时间 时间:2025/8/28 20:15:41 查看 阅读:12

IR3P38 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频开关应用。这款器件采用了先进的沟槽技术,提供优异的导通电阻和开关性能,适用于如电源转换、电机控制和电池管理系统等应用场景。IR3P38 以其高可靠性和优异的热性能,成为许多高功率电子系统设计中的重要组件。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):100A
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):7.5mΩ @ VGS=10V
  功率耗散(PD):250W
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装类型:TO-220

特性

IR3P38 的一个重要特性是其低导通电阻(RDS(on)),这使得在高电流条件下,器件的功率损耗显著降低,从而提高了整体系统的效率。
  此外,该MOSFET具有出色的热性能,能够承受较高的工作温度,并在高温环境下保持稳定运行,这得益于其高效的散热设计和封装技术。
  其高栅极电荷(Qg)和低反向恢复电荷(Qrr)特性,使得该器件在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗,提高了响应速度。
  IR3P38 还具备良好的抗雪崩击穿能力,能够承受瞬时高电压冲击,从而增强了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
  该器件的封装设计(TO-220)便于安装和散热,适合各种功率电子设备的制造和应用。

应用

IR3P38 常用于高功率和高频开关电路中,例如直流-直流转换器(DC-DC Converters)和电机控制模块。
  它也广泛应用于工业自动化设备中的电源管理系统,以及高性能电池管理系统(BMS)中,用于高效能充放电控制。
  由于其优异的开关性能和高可靠性,该器件也常用于电动工具、电动车控制器和不间断电源(UPS)等应用中。
  IR3P38 还被广泛应用于LED照明驱动电路和智能家电中的功率控制模块,以提高能效和稳定性。
  此外,它也适用于工业焊接设备、电镀电源和太阳能逆变器等高功率电子系统中。

替代型号

IRFP3808, IRF3710, SiR380DP, STP100N3LL

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