IR3N82 时间：2025/8/27 21:16:19 阅读：4

IR3N82是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Infineon Technologies生产。它被设计用于高功率应用，如电源、电机控制和DC-DC转换器。该器件具有低导通电阻，能够在高频率下高效工作，同时保持较低的开关损耗。IR3N82采用先进的封装技术，确保良好的热管理和电气性能，适用于工业、汽车和消费电子领域的各种高功率需求场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：110A
　　最大漏-源电压（VDS）：80V
　　导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：200nC
　　输入电容（Ciss）：3500pF
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

特性

IR3N82的主要特性包括其卓越的导通性能和低开关损耗，使其适用于高功率密度设计。其低RDS(on)值减少了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体效率。此外，该器件的高电流容量和良好的热性能使其能够在极端工作条件下保持稳定。IR3N82具有强大的短路和过热保护能力，确保在恶劣环境下的可靠性。该MOSFET还采用了先进的封装技术，提供良好的电气隔离和热管理，有助于延长设备的使用寿命。
　　该器件的另一个显著特点是其出色的高频性能，使其非常适合用于高频开关应用。例如，在DC-DC转换器或电机驱动器中，IR3N82能够快速切换，同时保持低损耗和高效率。此外，IR3N82的高dv/dt抗扰度确保了在高压快速变化的环境中仍能稳定运行。